VM50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器（VCSEL）

分类：半导体激光器

厂家： VI Systems GmbH

产地：德国

型号： VM50-850-Cxx

更新时间： 2024-08-25 01:42:49

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概述

VM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。

参数

发射波长 / Emission Wavelength : 850 nm
数据速率 / Data Rate : ~56 Gbit/s PAM-4
阈值电流 / Threshold Current : ~0.5 mA
峰值输出功率 / Peak Output Power : ~3 mW @85°C
发射波长范围 / Emission Wavelength Range : 840-860 nm
最大数据速率 / Maximum Data Rate : 25-28 GBaud/s
光学带宽 / Optical Bandwidth : 18-20 GHz
斜率效率 / Slope Efficiency : 0.3-0.5 W/A
阈值电流范围 / Threshold Current Range : 0.8 mA
差分电阻 / Differential Resistance : 80-100 Ω
光束发散度 / Beam Divergence : 20 °
峰值输出功率范围 / Peak Output Power Range : 3-5 mW
光谱带宽（RMS） / Spectral Bandwidth (RMS) : 0.6-0.8 nm
峰值正向电流 / Peak Forward Current : 9 mA
最大反向电压 / Maximum Reverse Voltage : 5 V
工作温度 / Operating Temperature : 85 °C
储存温度 / Storage Temperature : -40-100 °C
焊接温度 / Soldering Temperature : 150 °C
VCSEL间距 / VCSEL Pitch : 250 µm
1x1 VCSEL芯片长度 / Length 1x1 VCSEL Chip : 215-250 µm
1x4 VCSEL阵列长度 / Length 1x4 VCSEL Array : 975-1000 µm
1x12 VCSEL阵列长度 / Length 1x12 VCSEL Array : 2960-3000 µm
高度 / Height : 140-160 µm
宽度 / Width : 210-250 µm

应用

1. 以太网 2. 专有光互连 3. 有源光缆（AOC） 4. 短距离56G和100G以太网

特征

1. 4通道或12芯片阵列 2. 每通道高达56 Gbit/s 3. 器件间距为250 µm 4. 适用于线键合或翻转芯片键合

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厂家介绍

VI Systems GmbH 是一家德国技术公司，专门开发和制造用于数据通信和传感应用的高速光学元件和模块。 VI Systems 公司成立于 2006 年，总部位于柏林，并在夏洛滕堡柏林工业大学附近运营着一家先进的研究机构。公司的产品基于先进的半导体技术，包括砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP），可实现高速数据传输和低功耗。 VI Systems 的产品组合包括一系列用于数据中心互连、高速光通信网络和传感应用的光学元件和模块。这些产品包括垂直腔表面发射激光器（VCSEL）、光电二极管、调制器和收发器。 VI Systems 与光通信和传感领域的多家领先公司和研究机构开展了合作，其产品已广泛应用于电信、航空航天和汽车等领域。总体而言，VI 系统公司在高速光学元件和模块的开发和制造领域处于领先地位，并不断推动光通信和传感技术的发展。

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