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安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA
Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管,其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2,产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度,上升/下降时间为5μs,暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600,最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装,尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm,非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。
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光纤模式: Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser
来自安立公司的AS5B310KM50M是超辐射发光二极管(SLD)模块,其在1550nm的波长下工作。它提供3mW的光输出功率,并具有30dB的光隔离。该SLD模块具有内置光隔离器、监视器PD和TEC.它的最大正向电压为2 V,监控电流为200-1500μA,PD暗电流为0.1μA.该SLD从PFM(偏振保持光纤)发射具有60nm的光谱半宽度的非相干光。它采用蝶形封装,尺寸为30 X 12.7 X 7.8 mm,非常适合光纤传感器、光学相干断层扫描(Oct)和光学测量应用。
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光纤模式: Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser
来自Anritsu公司的AS5B320EM50M是超辐射发光二极管(SLD)模块,其在1550nm的波长下工作。它提供25mW的光输出功率,并具有30dB的光隔离。该SLD模块具有内置光隔离器、监视器PD和TEC.它的正向电压为24 V,监控电流为400-2000μA,PD暗电流为0.1μA.该SLD从PFM(保偏光纤)发射光谱半宽度为10-50nm的非相干光。它采用蝶形封装,尺寸为30 X 12.7 X 7.8 mm,非常适合光纤传感器、光学相干层析成像(Oct)和光学测量应用。
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技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 V
Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管,工作波长为1550 nm.输出光功率50mW(脉冲)&15mW(连续),光谱宽度0.08nm,斜率效率0.16W/A,上升/下降时间80ps,跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF,暗电流小于100 nA,阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管,并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源,消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装,并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。