• WP7113P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.7至3 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.5至2.5 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KPT081M31 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

    Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管,其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2,产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度,上升/下降时间为5μs,暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600,最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装,尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm,非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

  • AS5B310KM50M 超辐射发光二极管
    日本
    厂商:安立公司
    光纤模式: Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser

    来自安立公司的AS5B310KM50M是超辐射发光二极管(SLD)模块,其在1550nm的波长下工作。它提供3mW的光输出功率,并具有30dB的光隔离。该SLD模块具有内置光隔离器、监视器PD和TEC.它的最大正向电压为2 V,监控电流为200-1500μA,PD暗电流为0.1μA.该SLD从PFM(偏振保持光纤)发射具有60nm的光谱半宽度的非相干光。它采用蝶形封装,尺寸为30 X 12.7 X 7.8 mm,非常适合光纤传感器、光学相干断层扫描(Oct)和光学测量应用。

  • AS5B320EM50M 超辐射发光二极管
    日本
    厂商:安立公司
    光纤模式: Polarization Maintaining 类型: Fiber-Coupled SLED 工作模式: CW Laser

    来自Anritsu公司的AS5B320EM50M是超辐射发光二极管(SLD)模块,其在1550nm的波长下工作。它提供25mW的光输出功率,并具有30dB的光隔离。该SLD模块具有内置光隔离器、监视器PD和TEC.它的正向电压为24 V,监控电流为400-2000μA,PD暗电流为0.1μA.该SLD从PFM(保偏光纤)发射光谱半宽度为10-50nm的非相干光。它采用蝶形封装,尺寸为30 X 12.7 X 7.8 mm,非常适合光纤传感器、光学相干层析成像(Oct)和光学测量应用。

  • Sol™ 2.2A 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:B&W Tek, Inc.
    波长范围: 900-2200 nm 光谱分辨率: 9 nm

    B&W Tek 的 Sol™ 2.2A 是一款高性能线性 InGaAs 阵列光谱仪,具有 256 个像素,提供宽动态范围和高吞吐量,通过集成的三级冷却器可将 TE 冷却到 -15 °C。 所有光谱仪均内置 16 位数字转换器和 SMA 905 光纤输入,同时兼容 USB 2.0 即插即用。集成的自动归零功能可自动降低暗不均匀度和暗电流,从而提高信噪比。 通过软件控制,用户可以选择四种操作模式--最大灵敏度、最大动态、高灵敏度和高动态。此外,还提供定制的光谱分辨率和应用支持。

  • LDS-1550-DFB-2.5G-15/50 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 V

    Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管,工作波长为1550 nm.输出光功率50mW(脉冲)&15mW(连续),光谱宽度0.08nm,斜率效率0.16W/A,上升/下降时间80ps,跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF,暗电流小于100 nA,阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管,并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源,消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装,并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

  • LAPD 3050 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1000 to 1650 nm 暗电流: 2 nA 电容: 1 pF

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。

  • LPD 3080 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LPD 3080是一款光学探测器,其暗电流为0.05至0.5 nA,电容为0.5至0.75 PF,带宽为2.5 GHz,响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W,有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-100-IR1-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Germanium 波长范围: 400 to 2000 nm 上升时间: 100 ps 暗电流: 700 nA

    来自AlphaLas的UPD-100-IR1-P是波长范围为400至2000nm、上升时间为100ps、暗电流为700nA、带宽为3GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-100-IR1-P的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-15-IR2-FC 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 15 ps 暗电流: 0.1 nA

    来自AlphaLas的UPD-15-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为15ps、暗电流为0.1nA、带宽为25GHz的光学探测器。有关UPD-15-IR2-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-SD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-SP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-UD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-UP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-2M-IR2-P-1TEC 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 0.3 nA

    AlphaLas公司的UPD-2M-IR2-P-1TEC是一种光学探测器,波长范围为900~1700nm,上升时间为75000ps,暗电流为0.3nA,带宽为0.004GHz,有源区直径为3.14mm.UPD-2M-IR2-P-1TEC的更多详情见下文。

  • UPD-2M-IR2-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 5 nA

    来自AlphaLas的UPD-2M-IR2-P是波长范围为900至1700nm、上升时间为75000ps、暗电流为5nA、带宽为0.004GHz、有源区直径为3.14mm的光学探测器。有关UPD-2M-IR2-P的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-30-VSG-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: GaAs 波长范围: 320 to 900 nm 上升时间: 30 ps 暗电流: 0.1 nA

    来自AlphaLas的UPD-30-VSG-P是波长范围为320至900nm、上升时间为30ps、暗电流为0.1nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-30-VSG-P的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-300-SD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-SD是一种光学探测器,波长范围为320-1100nm,上升时间为300ps,暗电流为0.01nA,带宽为1GHz,有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-300-SP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-SP是一种光学探测器,波长范围为320-1100nm,上升时间为300ps,暗电流为0.01nA,带宽为1GHz,有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SP的更多详细信息,请联系我们。