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  • UPD-50-SP 光电探测器
    UPD-50-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学探测器。有关UPD-50-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-UD 光电探测器
    UPD-50-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-UP 光电探测器
    UPD-50-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-SD 光电探测器
    UPD-500-SD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-SP 光电探测器
    UPD-500-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-UD 光电探测器
    UPD-500-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-UD是波长范围170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-UP 光电探测器
    UPD-500-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-5N-IR2-P 光电探测器
    UPD-5N-IR2-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2600 nm 上升时间: 200 ps 暗电流: 2000 nA

    来自AlphaLas的UPD-5N-Ir2-P是波长范围为800至2600nm、上升时间为200ps、暗电流为2000nA、带宽为0.3GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-5N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-70-IR2-D 光电探测器
    UPD-70-IR2-D
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。UPD-70-IR2-D的更多详情见下文。

  • UPD-70-IR2-FC 光电探测器
    UPD-70-IR2-FC
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-70-IR2-FR 光电探测器
    UPD-70-IR2-FR
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-70-IR2-FR的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-70-IR2-P 光电探测器
    UPD-70-IR2-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    AlphaLas公司的UPD-70-IR2-P是一种光学探测器，波长范围为800~1700nm，上升时间为70ps，暗电流为0.8nA，带宽为5GHz，有源区直径为0.005mm.UPD-70-IR2-P的更多详情见下文。

  • UPD-70-UVIR-D 光电探测器
    UPD-70-UVIR-D
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-D的更多详情见下文。

  • UPD-70-UVIR-P 光电探测器
    UPD-70-UVIR-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 70 ps 暗电流: 0.8 nA

    来自AlphaLas的UPD-70-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为70ps、暗电流为0.8nA、带宽为5GHz、有源区直径为0.005mm的光学检测器。UPD-70-UVIR-P的更多详情见下文。

  • QSPDI-28 光电二极管
    QSPDI-28
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：QPhotonics
    波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W

    来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管，波长范围为630至1650 nm，电容为100至140 PF，暗电流为1至2 nA，响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息，请联系我们。

  • APD28A 光电二极管
    APD28A
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：Macom
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1250 to 1650 nm RoHS: Yes

    Macom的APD28A是一款光电二极管，波长范围为1250至1650 nm，带宽为20 GHz，电容为40 PF，暗电流为1000 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关APD28A的更多详细信息，请联系我们。

  • APD02-8-150-T52 光电二极管
    APD02-8-150-T52
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为1000 MHz，电容为1.5 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

  • APD05-8-150-T52 光电二极管
    APD05-8-150-T52
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 1 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为900 MHz，电容为3 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

  • APD10-8-150-T52 光电二极管
    APD10-8-150-T52
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 暗电流: 0.2 to 2 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为600 MHz，电容为6 PF，暗电流为0.2至2 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

  • APD15-8-150-T5H 光电二极管
    APD15-8-150-T5H
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为350 MHz，电容为10 PF，暗电流为0.5至5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息，请联系我们。