来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。

来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息，请联系我们。

II-VI Incorporated的BMPDT080-1是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为20 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为1 A/W.有关BMPDT080-1的更多详细信息，请联系我们。

II-VI Incorporated的INM00AA10D102是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为5 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关INM00AA10D102的更多详细信息，请联系我们。

II-VI Incorporated的INO00AA10D102是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为5至10 PF，暗电流为1至120 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INO00AA10D102的更多详细信息，请联系我们。

II-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为18 GHz（O/E），电容为80 FF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息，请联系我们。

Laser Components的IA35系列是与InAs衬底匹配的异质结构光电二极管，标称截止波长为3.5µm.IA35探测器为光伏探测器，有效区域直径为500µm.这些光电二极管的峰值响应度为1.05 A/W，是气体分析、二极管激光监控和非接触式温度测量应用的理想选择。

Laser Components的IG17系列是一款全色PIN光电二极管，标称截止波长为1.7µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它提供出色的分流电阻，并在宽范围内具有1.05 A/W的卓越响应度。光电二极管采用TO-CAN封装，非常适合二极管激光监控、火焰控制和分光光度计应用。

Laser Components的IG19系列是一款全色PIN光电二极管，标称截止波长为1.9µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻，并在宽范围内具有出色的响应度。

Laser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管，标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度，并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装，是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。

Laser Components的IG24系列是一款光电二极管，波长范围为2.35µm，电容为60至1040 PF，暗电流为0.2至25 uA，响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W，有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息，请联系我们。

Laser Components的IG26系列是全色PIN光电二极管，标称截止波长为2.6µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。光电二极管具有出色的分流电阻，在宽范围内具有1.45 A/W的出色响应度。它们是分光光度计、二极管激光监控和火焰控制应用的理想选择。

来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管，在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。

Laser Components的SAE500VX是一款光电二极管，波长范围为400至1000 nm，电容为4至10 PF，暗电流为5至30 nA，响应度/光敏度为30至38 A/W，上升时间为450 PS.有关SAE500VX的更多详细信息，请联系我们。

Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列，工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数，元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装，非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管（APD），可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构，在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装，针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

Opto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm，响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm，响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管，有效面积为5.5 mm直径，对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm，电容低于10 N，反向击穿电压为10 V，上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。