8mW 850 nm VCSEL 芯片

30mW 850 nm 高斯光束 VCSEL 芯片

用于传感器的 8mW 940 nm VCSEL 芯片

1 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片，温度 60 摄氏度

2 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片，温度 60 摄氏度

用于传感器的 850 nm VCSEL 芯片

850nm RCLED 芯片

用于传感器的 650nm LED 芯片

用于传感器的 650 纳米 RCLED 芯片

650 纳米红色 LED 芯片，带窗口 30

650 纳米红色 LED 芯片，带窗口 50

650 纳米红色 LED 芯片，带窗口 25

用于传感器的 650nm 红色 LED 芯片

来自Vixar的V00145，是波长为795nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.13mW，线宽≤100MHz，调制带宽≥3.4GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。

用于传感器的 650nm 红色 LED 芯片

850 nm高斯光束VCSEL芯片，具有高可靠性和低电流操作的特点，可根据要求提供其他配置。

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

Optilab MIOC-1550-22-BC 是用于光纤陀螺仪（FOG）的光学芯片，适用于旋转速率传感和惯性导航系统。具有卓越的性能和可靠性。

Optilab MIOC-1550-18-BC 是用于光纤陀螺仪（FOG）的光学芯片，该集成光学芯片（IOC）设备由偏振器、Y型耦合器和双电光相位调制器组成，基于铌酸锂（LiNbO3），采用退火质子交换（APE）光波导制造。广泛应用于旋转速率传感和惯性导航系统。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。