• C-WAVE 激光器模块和系统
    德国
    类型: Laser System 技术: Solid State Laser 工作模式: CW Laser 波长: 450 to 1300 nm 可调谐: Yes

    HÜBNER Photonics的C波是一种可调谐激光光源,工作波长为450至650 nm.使用1.5 W泵浦激光器时,输出功率超过80 MW;使用5 W泵浦激光器时,输出功率超过200 MW.这种完全由计算机控制的光源基于光学参量振荡(OPO),允许在不改变染料或光学元件的情况下从蓝色调谐到红色和近红外。C-Wave是一种固态系统,没有染料等耗材。波长可以简单地在计算机上设置,并且它可以自动调谐。它是原子物理、量子光学、纳米光子学和全息术应用的理想选择。

  • QL78M6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 780 nm 输出功率: 0.09 W

    Roithner Lasertechnik的QL78M6SA是一款工作波长为770至790 nm的AlGaAs红外激光二极管。它的输出功率为90 MW,LD反向电压为2 V,PD反向电压为30 V.该单横模激光二极管具有量子阱结构,可在高达60摄氏度的温度下工作。它采用5.6 mm TO-CAN封装,是工业应用的理想辐射源。

  • QL83H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.02 W

    Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。

  • QL94J6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。

  • SHD4850MG 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: InAlGaN 工作模式: CW Lasers 波长: 488 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik的SHD4850MG是一款InAlGaN青色激光二极管,工作波长为488 nm.该激光器的输出功率为50mW,斜率效率为0.8W/A,阈值电流为40mA,采用多量子阱结构,工作在TE横模。它需要6 V直流电源,功耗为105 mA.这款激光二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带平面窗口,非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

  • LDS-1570-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1567 to 1573 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    Laserscom的LDS-1570-DFB-2.5G-15/45是一款与光纤耦合的多量子阱激光二极管,工作波长为1570 nm,斜率效率为0.16 W/A.在SM光纤G.657.A1中,它在CW模式下的光输出功率高达15 MW,在脉冲模式下高达45 MW.该激光二极管需要大约1.4V的工作电压,并且具有大约8mA的阈值电流。它采用同轴电缆、带支架的同轴电缆或14针DIL,包括密封外壳中的监视器PD,是数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

  • LDS-1590-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1587 to 1593 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    Laserscom的LDS-1590-DFB-2.5G-15/45是一款InGaAsP多量子阱激光二极管,工作波长为1587至1593 nm.激光二极管提供高达15 MW(CW)和45 MW(峰值脉冲)的光输出功率。它具有边模抑制比大于40dB的DFB腔,并且具有低于500kHz的谱线宽度。激光二极管基于LDS技术,可提供增强的光功率热稳定性,跟踪误差为0.15 dB.它需要1.7 V的直流电源,电流消耗高达120 mA.激光二极管集成了光电二极管,并采用带光纤连接器的同轴封装。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信。该激光二极管可从制造商处订购特定配置。

  • QL63D43A/B 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 30 mA

    来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm,斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度,垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪、激光模块和条形码读取器应用。

  • QL63D4S-A/B/C-N 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.7 V

    QL63D4S-A/B/C-N(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为630至640 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.2至2.7 V,工作电流为32至45 mA.有关QL63D4S-A/B/C-N的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63D4S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.7 V

    Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置用于监控激光二极管的光电二极管。

  • QL63D4SA/B/C 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 32 mA

    Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪和激光指示器应用。

  • QL63D5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.7 V

    QL63D5S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为630至640 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.2至2.7 V,工作电流为31至45 mA.有关QL63D5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63F5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 637 to 645 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63F5S-A/B/C是波长为637至645 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为44至55 mA的激光二极管。有关QL63F5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63G5S-A/B/C-L 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 639 to 645 nm 输出功率: 15 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63G5S-A/B/C-L是波长为639至645 nm的激光二极管,输出功率为15 MW,工作电压为2.2至2.6 V,工作电流为53至65 mA.有关QL63G5S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63G5SA/B/C-R1 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 633 to 643 nm 输出功率: 15 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63G5SA/B/C-R1是波长为633至643 nm的激光二极管,输出功率为15 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为60至70 mA.有关QL63G5SA/B/C-R1的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63H5SA/B/C-R1 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 634 to 644 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63H5SA/B/C-R1是波长为634至644 nm、输出功率为20 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为75至85 mA的激光二极管。有关QL63H5SA/B/C-R1的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D4PA 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 648 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    Quantum Semiconductor International的QL65D4PA是一种激光二极管,波长为648至660 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为23至25 mA.有关QL65D4PA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D5S-A/B/C-N 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    QL65D5S-A/B/C-N(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为650至660 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为22至35 mA.有关QL65D5S-A/B/C-N的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    Quantum Semiconductor International的QL65D5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为24至25 mA的激光二极管。有关QL65D5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65D6S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为40至55 mA的激光二极管。有关QL65D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。