QL63D4S-A/B/C-N

分类：半导体激光器

厂家： QSI(Quantum Semiconductor International)

产地：韩国

型号： QL63D4S-A/B/C-N

更新时间： 2024-08-23 17:12:19

标签：

激光二极管光电设备 635nm InGaAlP 光学水平仪

简介：

MOCVD grown 635 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

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概述

QL63D4S-A/B/C-N（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.2至2.7 V，工作电流为32至45 mA.有关QL63D4S-A/B/C-N的更多详细信息，请联系我们。

参数

技术 / Technology : Quantum Well
工作模式 / Operation Mode : CW Laser
波长 / Wavelength : 630 to 640 nm
输出功率 / Output Power : 5 mW
工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.7 V
工作电流 / Operating Current : 32 to 45 mA
阈值电流 / Threshold Current : 23 to 35 mA
激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
激光颜色 / Laser Color : Red
类型 / Type : Free Space Laser Diode
光输出功率 / Optical Output Power : 5mW
激光二极管反向电压 / Laser Diode Reverse Voltage : 2V
光电二极管反向电压 / Photo Diode Reverse Voltage : 30V
工作温度 / Operating Temperature : -10~+40°C
储存温度 / Storage Temperature : -40~+85°C
阈值电流 / Threshold Current : 23-35mA
工作电流 / Operating Current : 32-45mA
工作电压 / Operating Voltage : 2.2-2.7V
激射波长 / Lasing Wavelength : 630-640nm
束发散角（平行） / Beam Divergence (Parallel) : 6-12deg
束发散角（垂直） / Beam Divergence (Perpendicular) : 28-40deg
束角（平行） / Beam Angle (Parallel) : ±2.0deg
束角（垂直） / Beam Angle (Perpendicular) : ±3.0deg
监视电流 / Monitor Current : 0.05-0.4mA
光学距离 / Optical Distance : ±60µm

应用

1.激光指示器 2.条形码阅读器 3.激光模块

特征

1.可见光输出：λp=635nm 2.光输出功率：5mW CW 3.封装类型：TO-18 (5.6mmφ) 4.内置光电二极管用于监控激光二极管

详述

QL63D4S-A/B/C-N是一款高性能的InGaAlP激光二极管，采用MOCVD技术生长，具有量子阱结构。其典型光输出功率为5mW，波长为635nm，适用于多种光电应用，如激光指示器、条码阅读器和激光模块。该产品的包装类型为TO-18 (5.6mmφ)，内置光电二极管用于监控激光二极管，确保稳定的性能输出。其工作温度范围为−10°C至+40°C，存储温度范围为−40°C至+85°C，适应各种环境条件。综合来看，QL63D4S-A/B/C-N是一款性能可靠、应用广泛的激光二极管，适用于多种光电设备。

规格书

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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