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QL65D5S-A/B/C 半导体激光器
精品

QL65D5S-A/B/C

分类: 半导体激光器

厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)

产地: 韩国

型号: QL65D5S-A/B/C

更新时间: 2024-08-25 13:31:18

激光二极管 光电设备 条码阅读器 650nm 激光笔 InGaAlP

MOCVD grown 650 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

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概述

Quantum Semiconductor International的QL65D5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为24至25 mA的激光二极管。有关QL65D5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 650 to 660 nm
  • 输出功率 / Output Power : 5 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.3 to 2.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 24 to 25 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 17 to 30 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 激光笔 2. 光学水平仪 3. 条码阅读器

特征

1. 可见光输出:λp = 650 nm 2. 光功率输出:5mW CW 3. 封装类型:TO-18 (5.6mmφ) 4. 内置光电二极管用于监控激光二极管

详述

QL65D5S-A/B/C是一款由Quantum Semiconductor International Co., Ltd.生产的高性能650nm InGaAlP激光二极管,具有量子阱结构。其典型光输出功率为5mW,适用于激光笔、光学水平仪和条码阅读器等光电设备。该产品封装为TO-18(5.6mmφ),内置光电二极管用于监控激光二极管的性能。其工作温度范围为-10到+50°C,存储温度范围为-40到+85°C,具有良好的电气和光学特性。该激光二极管具有高效、稳定的特点,是多种光电应用的不二选择。

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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