• OSD100-0A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 1000 pF 暗电流: 30 to 70 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD100-5TA 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 暗电流: 30 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD100-5TA是一款光电二极管,波长范围436nm,电容2500 PF,暗电流30 nA,响应度/光敏度0.18至0.21 A/W,上升时间45µs.有关OSD100-5TA的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD15-0 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 to 150 pF 暗电流: 8 to 15 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD15-0是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为20至150 PF,暗电流为8至15 nA,响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W,上升时间为9 ns.有关OSD15-0的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD15-5T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 390 pF 暗电流: 10 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD15-5T是一款光电二极管,波长范围为436nm,电容为390 PF,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W,上升时间为12µs.有关OSD15-5T的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD15-E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 390 pF 暗电流: 2 to 10 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD15-E是一款光电二极管,波长范围为550 nm,电容为80至390 PF,暗电流为2至10 nA,响应度/光敏度为33 nA/Lux.有关OSD15-E的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD3-5T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 pF 暗电流: 2 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD3-5T是一款光电二极管,波长范围为436nm,电容为80 PF,暗电流为2 nA,响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W,上升时间为9µs.有关OSD3-5T的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD3-E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 to 80 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD3-E是波长范围为550nm、电容为20至80pF、暗电流为0.5至2nA、响应度/光敏度为6.6nA/Lux的光电二极管。有关OSD3-E的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD35-0 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 46 pF 暗电流: 12 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD35-0是波长范围为900 nm、电容为46 PF、暗电流为12 nA、响应度/光敏度为0.54 A/W、上升时间为12 ns的光电二极管。有关OSD35-0的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD35-LR-A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 830 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD35-LR-A是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A、旁路电阻3GΩ、NEP 5.6 e-15 W/√Hz的光电二极管。有关OSD35-LR-A的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD35-LR-D 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 830 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD35-LR-D是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A/W、旁路电阻0.3 GΩ、NEP 1.8 e-14 W/√Hz 的光电二极管。有关OSD35-LR-D的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD5-0 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 50 pF 暗电流: 5 to 10 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD5-0是波长范围为900 nm、电容为8至50 PF、暗电流为5至10 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为8 ns的光电二极管。有关OSD5-0的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD5-5T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 pF 暗电流: 2 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD5-5T是一款光电二极管,波长范围为436nm,电容为130 PF,暗电流为2 nA,响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W,上升时间为9µs.有关OSD5-5T的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD5-E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 130 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD5-E是波长范围为550nm、电容为35至130pF、暗电流为0.5至2nA、响应度/光敏度为11nA/Lux的光电二极管。有关OSD5-E的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD60-0 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 75 to 600 pF 暗电流: 15 to 50 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD60-0是波长范围为900 nm、电容为75至600 PF、暗电流为15至50 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为14 ns的光电二极管。有关OSD60-0的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD60-5T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1800 pF 暗电流: 25 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的OSD60-5T是一款光电二极管,波长范围为436nm,电容为1800 PF,暗电流为25 nA,响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W,上升时间为30µs.有关OSD60-5T的更多详细信息,请联系我们。

  • OSD60-E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 520 to 2500 pF 暗电流: 8 to 30 nA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的OSD60-E是波长范围为550nm、电容为520至2500pF、暗电流为8至30nA、响应度/光敏度为56nA/Lux的光电二极管。有关OSD60-E的更多详细信息,请联系我们。

  •  OSD-E Series 光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    温度: 22±2˚C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 暗电流: 0.2 nA

    OSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器,配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。