OSD35-LR-D

分类：光电二极管

厂家： OSI Laser Diode, Inc.

产地：美国

型号： OSD35-LR-D

更新时间： 2024-08-25 01:43:03

标签：

光电探测器快速响应低电容高能粒子检测高击穿电压

简介：

Fully Depleted Photodiodes

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概述

OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-D是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A/W、旁路电阻0.3 GΩ、NEP 1.8 e-14 W/√Hz 的光电二极管。有关OSD35-LR-D的更多详细信息，请联系我们。

参数

波长范围 / Wavelength Range : 830 nm
光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
RoHS / RoHs : Yes
电容 / Capacitance : 1300 pF
响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.54 A/W

应用

1. 激光制导导弹 2. 激光警告 3. 激光测距仪 4. 激光对准 5. 控制系统 6. 电子检测 7. 医疗仪器 8. 高能谱学 9. 带电粒子检测 10. 高能物理 11. 核物理

特征

1. 大有效面积 2. 完全耗尽 3. 快速响应 4. 超低暗电流 5. 低电容 6. 高击穿电压

详述

Large Active Area Photodiodes系列光电二极管是专为快速响应和高能粒子检测而设计的高性能光电探测器。它们能够完全耗尽，具有超低暗电流和低电容的特点，适用于激光制导导弹、激光警告、激光测距仪、激光对准、控制系统、电子检测、医疗仪器、高能谱学、带电粒子检测、高能物理和核物理等多种应用场景。这些光电二极管还可以与电荷敏感前置放大器或低噪声运算放大器耦合使用，适用于间接和直接高能辐射测量。

规格书

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厂家介绍

OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。

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