Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm，使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度，蓝色增强设备更为适用。

BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管，与一个NE5212（Signetics）转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。

OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备，优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组，具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm，响应度和响应时间经过优化，HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度，在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容，适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

多通道阵列光电探测器由多个单元光电二极管组成，彼此相邻排列，形成共阴极基板上的一维感应区域。它们能够同时测量移动光束或多波长光束，具有低电气串扰和超高均匀性，使得相邻元件之间的测量精度非常高。阵列提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大量探测器的应用。探测器针对紫外线、可见光或近红外范围进行了优化。

Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成：单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用，这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项： BGO、CdWO4或碘化铯（TI）。BGO（德国铋）作为一种理想的能量吸收器：它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4（钨酸镉）表现出足够高的光输出，有助于提高光谱分析结果。碘化铯（碘化铯）是另一种高能量吸收器，提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时，这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外，他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。

FCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管，以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求，所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据，以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。

SPOT系列分段光电二极管分为两个或四个独立的活动区域，具有高响应均匀性。适用于精确校准和中心定位，具有高精度、高速响应和优秀的时间及温度稳定性。

FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管，分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰，非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

XUV Series独特的硅光电二极管系列，设计用于X射线区域的额外灵敏度，无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm（6eV到17.6KeV）的宽光谱范围内敏感，每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对，对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计，其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管，专为高速通信领域设计，特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。

FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管，安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控，具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗，可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控，具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。