• D30-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片,数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 µm,可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

  • D25-SWDM-Cxx 高性能光电探测器 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

    D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片,适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率,用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式,通道间距为250微米,可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

  • R56-850TB 光接收模块 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 上升时间(20%到80%): ~6ps 最大功耗: 280mW 波长响应: 800~1550nm

    R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器(TIA),组装在高速适配板上,具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合,使用FC/PC连接器输入,设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用,速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。

  • D30-850M 高性能光电探测器模块 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840~1650nm 3 dB带宽: ≥30GHz 暗电流: <10pA 反向偏压电压: -2到-4V 最大输入功率: 2mW@850nm

    D30-850M是一款高性能光电探测器模块,适用于多模光纤耦合,光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试,工作波长范围为840-1650nm,具有高达56 Gbit/s的传输速度。

  • T56-850TB 高速光通信发射器 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 供电电压: 3.3V 最大功耗: 250mW 峰值发射波长: 840~860nm

    T56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器(VCSEL)和一个可选的驱动集成电路,集成在测试板上,并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动,提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。

  • V25-850M 高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: Multi mode VCSEL类型: Single mode 发射波长: 835-865nm 数据速率: Up to 28Gbit/s 峰值输出功率: 4mW (Multi mode), 1mW (Single mode)

    V25-850M用于测试目的的高速发射模块,集成了850纳米VCSEL,通过OM3多模光纤进行光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。可提供多模和单模VCSEL版本。适用于16/32G Fibre Channel系统测试、CEI-25系统测试和25G以太网通道测试。

  • V50-850M 高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 835–865nm 最大数据速率: 50Gbit/s 带宽: 21GHz 上升/下降时间: 12/12ps 斜率效率: 0.3–0.45W/A

    V50-850M高速发射模块,集成850nm VCSEL光纤耦合至OM3多模光纤,用于高速度测试应用的工程样品。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发及25G/50G以太网通道测试。

  • VM100-850M 超高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: 多模 发射波长: 850nm (可用835–865nm) 数据速率: 最高100Gbit/s 峰值输出功率: 4mW VCSEL类型: 单模

    VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块,集成了850nm VCSEL,光纤耦合到OM3多模光纤,用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制(4-PAM、DMT和多CAP)已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试(PAM-4、DMT)等应用。

  • V25-1550M 高速度发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: 单模 发射波长: 1550-1570nm 数据速率: 最高25Gbit/s 峰值输出功率: 2.2mW 最大数据速率: 25-30Gbit/s

    V25-1550M高速度发射模块,集成了1550nm VCSEL,光纤耦合到9/125 µm单模光纤,适用于传输测试和研究开发。该模块设计为高速测试应用的工程样品。

  • A56-230C 高速 VCSEL 驱动器 半导体激光器驱动器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    数据速率: Up to 56 Gbit/s 供电电压: 3.3 V 功率耗散: 200 mW 差分输入电阻: 100 Ω 环境工作温度: -5 to +85°C

    A56-230C 是一款高速 VCSEL 驱动器集成电路,专为光纤传输系统中的直接调制 VCSEL 设计。支持高达 56 Gbit/s 的数据速率,适用于光纤传输系统。

  • A56-105C 高速 VCSEL 驱动 IC 跨阻放大器
    德国
    分类:跨阻放大器
    厂商:VI Systems GmbH
    数据速率: 56 Gbit/s 供电电压: 3.3 V 功率耗散: 105 mW 差分输入电阻: 100 Ω 环境工作温度: -5°C to +85°C

    A56-105C 是一款高速 VCSEL 驱动 IC,设计用于在光纤传输系统中直接调制 VCSEL。适用于光纤传输系统和研究开发。

  • YAG Series 1064nm硅光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

    YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化,具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度,非常适合测量低光强度,如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光,用于测距应用。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/W

    SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管,适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计,适合与LC插针耦合,具有ϕ200μm激光切割孔,以及反射率测量的后向散射检测。

  •  SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管,适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  • 850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+75°C 焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150µm, 250µm, 300µm, 400µm 响应度: 0.36A/W

    OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列,具有大感光面积,优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容,适用于1.25Gbps以下的应用,如千兆以太网和光纤通道。

  • 高速硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱范围: 350nm-1100nm 峰值响应度: 0.50A/W@800nm 响应时间: 几百皮秒@-5V 反向偏压: 最大指定反向电压 输出信号测量: 示波器或高频放大器

    OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备,优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组,具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm,响应度和响应时间经过优化,HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度,在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容,适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。