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VM100-910-SG-qSM-Cxx 垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片半导体激光器

德国

分类：半导体激光器

厂商：VI Systems GmbH

发射波长: 910 nm 数据速率: ~112 Gbit/s PAM-4 阈值电流: ~0.5 mA 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 最大数据速率: 50-56 GBaud/s

VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

VM100-850-GSG-MA-SM 垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片

德国

分类：半导体激光器

厂商：VI Systems GmbH

发射波长: 840-860nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

VM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导，以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触，使用地-源-地（GSG）微探针或金属线键合。

D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

德国

分类：光电二极管

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840-960 nm 数据速率: 112 Gbit/s per channel PAM-4 响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 暗电流: 4 nA

D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D35-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

德国

分类：光电二极管

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 每通道 PAM-4 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D30-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

德国

分类：光电二极管

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s per channel 响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

D25-SWDM-Cxx 高性能光电探测器

德国

分类：光电二极管

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840-960nm 数据速率: 112Gbit/s 响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 暗电流: 4nA

D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

R56-850TB 光接收模块

德国

分类：光电探测器

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 上升时间(20%到80%): ~6ps 最大功耗: 280mW 波长响应: 800~1550nm

R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器（TIA），组装在高速适配板上，具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合，使用FC/PC连接器输入，设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用，速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。

D30-850M 高性能光电探测器模块

德国

分类：光电探测器

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840~1650nm 3 dB带宽: ≥30GHz 暗电流: <10pA 反向偏压电压: -2到-4V 最大输入功率: 2mW@850nm

D30-850M是一款高性能光电探测器模块，适用于多模光纤耦合，光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试，工作波长范围为840-1650nm，具有高达56 Gbit/s的传输速度。

T56-850TB 高速光通信发射器

德国

分类：激光器模块和系统

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 供电电压: 3.3V 最大功耗: 250mW 峰值发射波长: 840~860nm

T56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器（VCSEL）和一个可选的驱动集成电路，集成在测试板上，并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动，提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。

V25-850M 高速发射模块

德国

分类：激光器模块和系统

厂商：VI Systems GmbH

VCSEL类型: Multi mode VCSEL类型: Single mode 发射波长: 835-865nm 数据速率: Up to 28Gbit/s 峰值输出功率: 4mW (Multi mode), 1mW (Single mode)

V25-850M用于测试目的的高速发射模块，集成了850纳米VCSEL，通过OM3多模光纤进行光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。可提供多模和单模VCSEL版本。适用于16/32G Fibre Channel系统测试、CEI-25系统测试和25G以太网通道测试。

V50-850M 高速发射模块

德国

分类：激光器模块和系统

厂商：VI Systems GmbH

发射波长: 835–865nm 最大数据速率: 50Gbit/s 带宽: 21GHz 上升/下降时间: 12/12ps 斜率效率: 0.3–0.45W/A

V50-850M高速发射模块，集成850nm VCSEL光纤耦合至OM3多模光纤，用于高速度测试应用的工程样品。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发及25G/50G以太网通道测试。

VM100-850M 超高速发射模块

德国

分类：激光器模块和系统

厂商：VI Systems GmbH

VCSEL类型: 多模发射波长: 850nm (可用835–865nm) 数据速率: 最高100Gbit/s 峰值输出功率: 4mW VCSEL类型: 单模

VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块，集成了850nm VCSEL，光纤耦合到OM3多模光纤，用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制（4-PAM、DMT和多CAP）已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试（PAM-4、DMT）等应用。

V25-1550M 高速度发射模块

德国

分类：激光器模块和系统

厂商：VI Systems GmbH

VCSEL类型: 单模发射波长: 1550-1570nm 数据速率: 最高25Gbit/s 峰值输出功率: 2.2mW 最大数据速率: 25-30Gbit/s

V25-1550M高速度发射模块，集成了1550nm VCSEL，光纤耦合到9/125 µm单模光纤，适用于传输测试和研究开发。该模块设计为高速测试应用的工程样品。

A56-230C 高速 VCSEL 驱动器

德国

分类：半导体激光器驱动器

厂商：VI Systems GmbH

数据速率: Up to 56 Gbit/s 供电电压: 3.3 V 功率耗散: 200 mW 差分输入电阻: 100 Ω 环境工作温度: -5 to +85°C

A56-230C 是一款高速 VCSEL 驱动器集成电路，专为光纤传输系统中的直接调制 VCSEL 设计。支持高达 56 Gbit/s 的数据速率，适用于光纤传输系统。

A56-105C 高速 VCSEL 驱动 IC

德国

分类：跨阻放大器

厂商：VI Systems GmbH

数据速率: 56 Gbit/s 供电电压: 3.3 V 功率耗散: 105 mW 差分输入电阻: 100 Ω 环境工作温度: -5°C to +85°C

A56-105C 是一款高速 VCSEL 驱动 IC，设计用于在光纤传输系统中直接调制 VCSEL。适用于光纤传输系统和研究开发。

YAG Series 1064nm硅光电探测器

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。

YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂商：OSI Optoelectronics

反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。