• LDS-1590-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1587 to 1593 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    Laserscom的LDS-1590-DFB-2.5G-15/45是一款InGaAsP多量子阱激光二极管,工作波长为1587至1593 nm.激光二极管提供高达15 MW(CW)和45 MW(峰值脉冲)的光输出功率。它具有边模抑制比大于40dB的DFB腔,并且具有低于500kHz的谱线宽度。激光二极管基于LDS技术,可提供增强的光功率热稳定性,跟踪误差为0.15 dB.它需要1.7 V的直流电源,电流消耗高达120 mA.激光二极管集成了光电二极管,并采用带光纤连接器的同轴封装。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信。该激光二极管可从制造商处订购特定配置。

  • LDS-850-FP-15/50 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.8 to 2.5 V

    LASERSCOM的LDS-850-FP-15/50是一种激光二极管,波长为845至865 nm,输出功率为15至50 MW,工作电压为1.8至2.5 V,工作电流为45至60 mA.LDS-850-FP-15/50的更多详情见下文。

  • QL63D43A/B 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 30 mA

    来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm,斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度,垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪、激光模块和条形码读取器应用。

  • QL63D4S-A/B/C-N 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.7 V

    QL63D4S-A/B/C-N(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为630至640 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.2至2.7 V,工作电流为32至45 mA.有关QL63D4S-A/B/C-N的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63D4S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.7 V

    Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置用于监控激光二极管的光电二极管。

  • QL63D4SA/B/C 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 32 mA

    Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪和激光指示器应用。

  • QL63D5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.7 V

    QL63D5S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为630至640 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.2至2.7 V,工作电流为31至45 mA.有关QL63D5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63F5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 637 to 645 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63F5S-A/B/C是波长为637至645 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为44至55 mA的激光二极管。有关QL63F5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63G5S-A/B/C-L 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 639 to 645 nm 输出功率: 15 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63G5S-A/B/C-L是波长为639至645 nm的激光二极管,输出功率为15 MW,工作电压为2.2至2.6 V,工作电流为53至65 mA.有关QL63G5S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63G5SA/B/C-R1 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 633 to 643 nm 输出功率: 15 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63G5SA/B/C-R1是波长为633至643 nm的激光二极管,输出功率为15 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为60至70 mA.有关QL63G5SA/B/C-R1的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63H5SA/B/C-R1 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 634 to 644 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63H5SA/B/C-R1是波长为634至644 nm、输出功率为20 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为75至85 mA的激光二极管。有关QL63H5SA/B/C-R1的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D4PA 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 648 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    Quantum Semiconductor International的QL65D4PA是一种激光二极管,波长为648至660 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为23至25 mA.有关QL65D4PA的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D5S-A/B/C-N 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    QL65D5S-A/B/C-N(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为650至660 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为22至35 mA.有关QL65D5S-A/B/C-N的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    Quantum Semiconductor International的QL65D5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为24至25 mA的激光二极管。有关QL65D5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65D6S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为40至55 mA的激光二极管。有关QL65D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D7S-A/B/C-L 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.15 to 2.6 V

    QL65D7S-A/B/C-L(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为650至660 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.15至2.6 V,工作电流为27至35 mA.有关QL65D7S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65D7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65D7S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为40至50 mA的激光二极管。有关QL65D7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65E53A/B 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 7 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65E53A/B是波长为645至660 nm的激光二极管,输出功率为7 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为19至30 mA.有关QL65E53A/B的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65E5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65E5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为29至37 mA的激光二极管。有关QL65E5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65F5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F5S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为34至45 mA的激光二极管。有关QL65F5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。