R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器（TIA），组装在高速适配板上，具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合，使用FC/PC连接器输入，设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用，速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。

D30-850M是一款高性能光电探测器模块，适用于多模光纤耦合，光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试，工作波长范围为840-1650nm，具有高达56 Gbit/s的传输速度。

T56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器（VCSEL）和一个可选的驱动集成电路，集成在测试板上，并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动，提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。

V25-850M用于测试目的的高速发射模块，集成了850纳米VCSEL，通过OM3多模光纤进行光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。可提供多模和单模VCSEL版本。适用于16/32G Fibre Channel系统测试、CEI-25系统测试和25G以太网通道测试。

V50-850M高速发射模块，集成850nm VCSEL光纤耦合至OM3多模光纤，用于高速度测试应用的工程样品。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发及25G/50G以太网通道测试。

VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块，集成了850nm VCSEL，光纤耦合到OM3多模光纤，用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制（4-PAM、DMT和多CAP）已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试（PAM-4、DMT）等应用。

V25-1550M高速度发射模块，集成了1550nm VCSEL，光纤耦合到9/125 µm单模光纤，适用于传输测试和研究开发。该模块设计为高速测试应用的工程样品。

A56-230C 是一款高速 VCSEL 驱动器集成电路，专为光纤传输系统中的直接调制 VCSEL 设计。支持高达 56 Gbit/s 的数据速率，适用于光纤传输系统。

A56-105C 是一款高速 VCSEL 驱动 IC，设计用于在光纤传输系统中直接调制 VCSEL。适用于光纤传输系统和研究开发。

YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。

SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。

APD Series 8-150硅雪崩光电二极管，波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流，适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管，适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计，适合与LC插针耦合，具有ϕ200μm激光切割孔，以及反射率测量的后向散射检测。

SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管，适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm，使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度，蓝色增强设备更为适用。

BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管，与一个NE5212（Signetics）转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。

OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备，优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组，具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm，响应度和响应时间经过优化，HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度，在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容，适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米，使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用，包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

FCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。