• V25-850M 高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: Multi mode VCSEL类型: Single mode 发射波长: 835-865nm 数据速率: Up to 28Gbit/s 峰值输出功率: 4mW (Multi mode), 1mW (Single mode)

    V25-850M用于测试目的的高速发射模块,集成了850纳米VCSEL,通过OM3多模光纤进行光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。可提供多模和单模VCSEL版本。适用于16/32G Fibre Channel系统测试、CEI-25系统测试和25G以太网通道测试。

  • V50-850M 高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 835–865nm 最大数据速率: 50Gbit/s 带宽: 21GHz 上升/下降时间: 12/12ps 斜率效率: 0.3–0.45W/A

    V50-850M高速发射模块,集成850nm VCSEL光纤耦合至OM3多模光纤,用于高速度测试应用的工程样品。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发及25G/50G以太网通道测试。

  • VM100-850M 超高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: 多模 发射波长: 850nm (可用835–865nm) 数据速率: 最高100Gbit/s 峰值输出功率: 4mW VCSEL类型: 单模

    VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块,集成了850nm VCSEL,光纤耦合到OM3多模光纤,用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制(4-PAM、DMT和多CAP)已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试(PAM-4、DMT)等应用。

  • V25-1550M 高速度发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: 单模 发射波长: 1550-1570nm 数据速率: 最高25Gbit/s 峰值输出功率: 2.2mW 最大数据速率: 25-30Gbit/s

    V25-1550M高速度发射模块,集成了1550nm VCSEL,光纤耦合到9/125 µm单模光纤,适用于传输测试和研究开发。该模块设计为高速测试应用的工程样品。

  • A56-230C 高速 VCSEL 驱动器 半导体激光器驱动器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    数据速率: Up to 56 Gbit/s 供电电压: 3.3 V 功率耗散: 200 mW 差分输入电阻: 100 Ω 环境工作温度: -5 to +85°C

    A56-230C 是一款高速 VCSEL 驱动器集成电路,专为光纤传输系统中的直接调制 VCSEL 设计。支持高达 56 Gbit/s 的数据速率,适用于光纤传输系统。

  • A56-105C 高速 VCSEL 驱动 IC 跨阻放大器
    德国
    分类:跨阻放大器
    厂商:VI Systems GmbH
    数据速率: 56 Gbit/s 供电电压: 3.3 V 功率耗散: 105 mW 差分输入电阻: 100 Ω 环境工作温度: -5°C to +85°C

    A56-105C 是一款高速 VCSEL 驱动 IC,设计用于在光纤传输系统中直接调制 VCSEL。适用于光纤传输系统和研究开发。

  • YAG Series 1064nm硅光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

    YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化,具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度,非常适合测量低光强度,如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光,用于测距应用。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°C

    APD Series 8-150硅雪崩光电二极管,波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流,适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/W

    SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管,适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计,适合与LC插针耦合,具有ϕ200μm激光切割孔,以及反射率测量的后向散射检测。

  •  SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管,适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  • 双面、超线性位置传感器PSD 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    位置响应度: 3-150 A/W 检测误差: 0.04-14 nA 暗电流: 0.025-1.4 μA 电容: 15-1500 pF 位置漂移: 0.04-1.4 μm / °C

    双面、超线性位置传感器(Duo-Lateral, Super Linear PSD)采用最先进的双侧技术,提供一个连续的模拟输出,该输出与光斑质心从活动区域中心的偏移量成比例,具有超高精度和宽动态范围,适用于光束对准、表面轮廓测量等应用。

  •  OSD-E Series 光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    温度: 22±2˚C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 暗电流: 0.2 nA

    OSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器,配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。

  • 850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+75°C 焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150µm, 250µm, 300µm, 400µm 响应度: 0.36A/W

    OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列,具有大感光面积,优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容,适用于1.25Gbps以下的应用,如千兆以太网和光纤通道。

  • 高速硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱范围: 350nm-1100nm 峰值响应度: 0.50A/W@800nm 响应时间: 几百皮秒@-5V 反向偏压: 最大指定反向电压 输出信号测量: 示波器或高频放大器

    OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备,优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组,具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm,响应度和响应时间经过优化,HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度,在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容,适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

  •  Multi-Element Array Series 多通道阵列光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 3.9nA 电容: 12pF 响应度: 0.99A/W 噪声等效功率: 6.2e-15W/√Hz 工作温度范围: 30-85°C

    多通道阵列光电探测器由多个单元光电二极管组成,彼此相邻排列,形成共阴极基板上的一维感应区域。它们能够同时测量移动光束或多波长光束,具有低电气串扰和超高均匀性,使得相邻元件之间的测量精度非常高。阵列提供了一种低成本的解决方案,适用于需要大量探测器的应用。探测器针对紫外线、可见光或近红外范围进行了优化。

  • 与闪烁体兼容的光电二极管阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 540pA 终端电容: 930pF 温度范围: -10mV 响应度: 0.31A/W 上升时间: 0.59μs

    Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成:单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用,这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项: BGO、CdWO4或碘化铯(TI)。BGO(德国铋)作为一种理想的能量吸收器:它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4(钨酸镉)表现出足够高的光输出,有助于提高光谱分析结果。碘化铯(碘化铯)是另一种高能量吸收器,提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时,这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外,他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。