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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 46 pF 暗电流: 12 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD35-0是波长范围为900 nm、电容为46 PF、暗电流为12 nA、响应度/光敏度为0.54 A/W、上升时间为12 ns的光电二极管。有关OSD35-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 830 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/WOSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-A是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A、旁路电阻3GΩ、NEP 5.6 e-15 W/√Hz的光电二极管。有关OSD35-LR-A的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 830 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/WOSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-D是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A/W、旁路电阻0.3 GΩ、NEP 1.8 e-14 W/√Hz 的光电二极管。有关OSD35-LR-D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 50 pF 暗电流: 5 to 10 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-0是波长范围为900 nm、电容为8至50 PF、暗电流为5至10 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为8 ns的光电二极管。有关OSD5-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 pF 暗电流: 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD5-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为130 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为9µs.有关OSD5-5T的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 130 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-E是波长范围为550nm、电容为35至130pF、暗电流为0.5至2nA、响应度/光敏度为11nA/Lux的光电二极管。有关OSD5-E的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 75 to 600 pF 暗电流: 15 to 50 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-0是波长范围为900 nm、电容为75至600 PF、暗电流为15至50 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为14 ns的光电二极管。有关OSD60-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1800 pF 暗电流: 25 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD60-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为1800 PF，暗电流为25 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为30µs.有关OSD60-5T的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 520 to 2500 pF 暗电流: 8 to 30 nA
来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-E是波长范围为550nm、电容为520至2500pF、暗电流为8至30nA、响应度/光敏度为56nA/Lux的光电二极管。有关OSD60-E的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 350 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 85 pF 暗电流: 0.25 to 3 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSI-515是一款光电二极管，波长范围为350至1100 nm，电容为15至85 PF，暗电流为0.25至3 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.OSI-515的更多详细信息见下文。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 响应度/光敏度: 0.025 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的PIN-005D-254F是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为100 PF，响应度/光敏度为0.025 A/W，上升时间为0.1µs.有关PIN-005D-254F的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 200 pF 响应度/光敏度: 0.23 A/WOSI Laser Diode，Inc.的PIN-005E-550F是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为200 PF，响应度/光敏度为0.23 A/W，上升时间为0.1µs.有关PIN-005E-550F的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 to 4 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-020A是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为1至4 PF，暗电流为0.01至0.15 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为6 ns.有关PIN-020A的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2 to 8 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-040A是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为2至8 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为8 ns.有关PIN-040A的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 410 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN 040DP/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为60 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为0.02µs.有关PIN-040DP/SB的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 25 pF来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN-100-YAG是波长范围为1000nm、电容为25pF、暗电流为75至1000nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为30ns的光电二极管。下面可以看到PIN-100-YAG的更多详细信息。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.4 to 0.27 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的PIN-10AP-1是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为1500 PF，响应度/光敏度为0.4至0.27 A/W，上升时间为0.15µs.有关引脚10AP-1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN 10D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为300至1500 PF，暗电流为2至25 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为43 ns.有关引脚10D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.15 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DF是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为1500 PF，响应度/光敏度为0.15 A/W，上升时间为1µs.有关引脚10DF的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为300至1500 PF，暗电流为2至25 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为43 ns.有关引脚10DI的更多详细信息，请联系我们。
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