• SFH 3400 光电晶体管
    奥地利
    分类:光电晶体管
    厂商:ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 to 70 V

    欧司朗的SFH 3400是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为20至70 V,集电极暗电流为3至10 nA,集电极发射极电压(饱和)为170 MV,发射极集电极电压(击穿)为7 V,功耗为120 MW.有关SFH 3400的更多详细信息,请联系我们。

  • SFH 3600 光电晶体管
    奥地利
    分类:光电晶体管
    厂商:ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 35 V

    欧司朗的SFH 3600是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)35 V,集电极暗电流1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)150 MV,发射极集电极电压(击穿)7 V,功耗130 MW.有关SFH 3600的更多详细信息,请联系我们。

  • SFH 3605 光电晶体管
    奥地利
    分类:光电晶体管
    厂商:ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 35 V

    OSRAM的SFH 3605是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)35 V,集电极暗电流1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)150 MV,发射极集电极电压(击穿)7 V,功耗130 MW.有关SFH 3605的更多详细信息,请联系我们。

  • AA3528P3S 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA,功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息,请联系我们。

  • AM4457P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA,功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • AP1608P1C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息,请联系我们。

  • AP2012P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP2012P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA,功耗100 MW.有关AP2012P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • APA3010P3BT-GX 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息,请联系我们。

  • APT2012P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • KP-2012P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KP-3216P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KPA-3010P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的kPa-3010P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关kPa-3010P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • L-3DP3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • L-7113P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • WP3DP3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.2 mA,功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.7至3 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.5至2.5 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KPT081M31 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

    Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管,其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2,产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度,上升/下降时间为5μs,暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600,最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装,尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm,非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

  • OSA305 光谱分析仪
    美国
    分类:光谱分析仪
    厂商:索雷博
    波长范围: 1 to 5.6 µm 光纤模式: Single Mode, Multi Mode Level Accuracy: ±0.4 dB 偏振相关性: ±0.1 dB RoHS: Yes

    Thorlabs Inc的OSA305是一款光谱分析仪,可测量1至5.6µm的波长。它的光学灵敏度范围为-75至-65 dBm/nm,动态范围为40 dB.该光谱分析仪的光谱准确度为±0.2ppm,光谱精度为0.2ppm.它的功率电平精度为±0.4 dB,偏振相关性为±0.1 dB.该频谱分析仪支持FC/APC和FC/PC光纤连接器。OSA305具有用于宽工作范围的多探测器操作和用于外部同步的触发输入。它具有用于光学净化的内置软管连接和一个自由空间输入端口,该端口带有四个4-40分接头,用于60 mm笼式系统兼容性。该频谱分析仪需要100-240 V的交流电源,功耗高达250 W.它采用台式模块,尺寸为541 X 224 X 533 mm,是光学研究、测量、仪器仪表和生产应用的理想选择。

  • FTBx-5245 光谱分析仪
    加拿大
    分类:光谱分析仪
    厂商:EXFO
    波长范围: 1250 to 1650 nm 波长精度: ±0.01 to ±0.05 动态范围: -80 to 18 dB 光功率范围: 23 dBm 偏振相关性: ±0.08 dB

    EXFO Inc.的FTBX-5245是一款光谱分析仪,波长范围为1250至1650 nm,波长精度为±0.01至±0.05,动态范围为-80至18 dB,光功率范围为23 dBm.有关FTBX-5245的更多详细信息,请联系我们。