• QL65F73A/B 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 665 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.9 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F73A/B是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为1.9至2.6 V、工作电流为27至38 mA的激光二极管。有关QL65F73A/B的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65F7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 665 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F7S-A/B/C是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为60至80 mA的激光二极管。有关QL65F7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65I7S-A/B/C-H 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 665 nm 输出功率: 35 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C-H是一种激光二极管,波长为645至665 nm,输出功率为35 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为40至110 mA.有关QL65I7S-A/B/C-H的更多详细信息,请联系我们。

  • QL67D7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 660 to 680 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    QL67D7S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为660至680 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为30至45 mA.有关QL67D7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83H6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    QL83H6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为820至840 nm,输出功率为20 MW,工作电压为1.9至2.5 V,工作电流为45至70 mA.有关QL83H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL84S6SL 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 835 to 855 nm 输出功率: 450 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85D6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 1.8 to 2.5 V

    QL85D6S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为5 MW,工作电压为1.8至2.5 V,工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85G63E 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 15 mW 工作电压: 2.2 to 2.4 V

    Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为15 MW,工作电压为2.2至2.4 V,工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85H6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    QL85H6S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为845至865 nm,输出功率为20 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85I6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 860 nm 输出功率: 30 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管,波长为845至860 nm,输出功率为30 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85J6S-A/B/C-L 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 40 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • BD-4KW-HE 激光功率计
    加拿大
    分类:激光功率计
    厂商:Gentec-EO
    探测器类型: Thermopile 设备类型: Benchtop 测量显示: W 功率范围: 4000 W to 4500 W

    Gentec-EO的BD-4KW-HE是一款激光功率计,功率范围为4000 W至4500 W.有关BD-4KW-HE的更多详细信息,请联系我们。

  • HP100A-4KW-HE 激光功率计
    加拿大
    分类:激光功率计
    厂商:Gentec-EO
    再现性: ±2 % 校准不确定度: ±5 % @ 1064 nm 探测器类型: Thermopile 设备类型: Benchtop 测量显示: W

    Gentec-EO的HP100A-4kW-HE是一款激光功率计,功率范围为4000 W至4500 W,波长范围为0.19至20µm.有关HP100A-4KW-HE的更多详细信息,请联系我们。

  • LDPF 0032 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 45 Mb/s 探测器灵敏度: -47 to -49 dBm

    OSI Laser Diode,Inc.的LDPF 0032是一款光纤接收器,数据速率为45 MB/s,检测器灵敏度为-47至-49 dBm,光功率为25 dBm,波长范围为1300 nm,电源电压为4.5至5.5 V.

  • LDPF 0065 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 90 Mb/s 探测器灵敏度: -43 to -45 dBm

    OSI Laser Diode,Inc.的LDPF 0065是一款光纤接收器,数据速率为90 MB/s,检测器灵敏度为-43至-45 dBm,光功率为25 dBm,波长范围为1300 nm,电源电压为4.5至5.5 V.

  • LDSF 0024 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 34 Mb/s 探测器灵敏度: -45 to -47 dBm

    OSI Laser Diode,Inc.的LDSF 0024是一款光纤接收器,数据速率为34 MB/s,检测器灵敏度为-45至-47 dBm,光功率为25 dBm,波长范围为850 nm,电源电压为4.5至5.5 V.LDSF 0024的更多详细信息见下文。

  • LDSF 0032 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 45 Mb/s 探测器灵敏度: -44 to -46 dBm

    OSI Laser Diode,Inc.的LDSF 0032是一款光纤接收器,数据速率为45 MB/s,检测器灵敏度为-44至-46 dBm,光功率为25 dBm,波长范围为850 nm,电源电压为4.5至5.5 V.LDSF 0032的更多详细信息见下文。

  • C30645L-080 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

  • C30662L-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

  • EXACTD-332 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 工作模式: Photoconductive 波长范围: 500 to 1650 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pF

    Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电(E.O.)系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角(AOA)信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列,并结合3位数字格雷码掩模,以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns,结面积为0.75 mm2,视场为±45°。它的电容为13.5 PF,击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装,非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。