- 产品
- 厂家
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管，波长范围为600至1750 nm，带宽为7 MHz，电容为1260 PF，暗电流为160 uA，响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管，波长范围为600至1750 nm，带宽为4.3 MHz，电容为2090 PF，暗电流为265 uA，响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。
-
波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为1000 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。
-
波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA
来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。
-
波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA
来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为300 PF，暗电流为10至30 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。
-
波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 暗电流: 1.0 nA来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为50至190 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pFMarktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管，工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF，击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装，尺寸为5 X 5 mm，是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装，比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息，请联系我们。
-
工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 1 nAII-VI Incorporated的BMPDT080-1是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为20 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为1 A/W.有关BMPDT080-1的更多详细信息，请联系我们。
-
工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 2 nAII-VI Incorporated的INM00AA10D102是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为5 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关INM00AA10D102的更多详细信息，请联系我们。
-
工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 5 to 10 pFII-VI Incorporated的INO00AA10D102是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为5至10 PF，暗电流为1至120 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INO00AA10D102的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 1260 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 80 fFII-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为18 GHz（O/E），电容为80 FF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息，请联系我们。
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.35 µm 光电二极管材料: InGaAsLaser Components的IG24系列是一款光电二极管，波长范围为2.35µm，电容为60至1040 PF，暗电流为0.2至25 uA，响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W，有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息，请联系我们。
-
模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconLaser Components的SAE500VX是一款光电二极管，波长范围为400至1000 nm，电容为4至10 PF，暗电流为5至30 nA，响应度/光敏度为30至38 A/W，上升时间为450 PS.有关SAE500VX的更多详细信息，请联系我们。
-
模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0.0124 to 190 nm RoHS: YesOpto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管，有效面积为5.5 mm直径，对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm，电容低于10 N，反向击穿电压为10 V，上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。
-
波长范围: 0.01 to 190 nm RoHS: Yes 电容: 10 nF 暗电流: 100 nA来自Opto Diode Corporation的AXUV63HS1-CH是波长范围为0.01至190 nm、电容为10 NF、暗电流为100 nA、上升时间为2 nsec、有源区直径为9 mm的光电二极管。有关AXUV63HS1-CH的更多详细信息，请联系我们。