Proxivision很高兴推出通道光电倍增管技术，这是一条专注于生命科学和分析应用的新产品线，现在可作为定制的光电倍增管（CPM）探测器和模块提供。CPM是一种超高灵敏度的光学探测器，它取代了传统的光电倍增管（PMT）和雪崩光电二极管（APD）。该器件采用独特的检波器原理，设计紧凑，具有超高增益、高动态范围、极低噪声和快速响应。这种高性能检测器为分析仪器应用提供了基本优势，例如发射光谱、荧光透视以及生物和化学发光。CPM还在生命科学产品、工业和医疗设备以及高能物理方面具有重要优势。

Proxivision很高兴推出通道光电倍增管技术，这是一条专注于生命科学和分析应用的新产品线，现在可作为定制的光电倍增管（CPM）探测器和模块提供。CPM是一种超高灵敏度的光学探测器，它取代了传统的光电倍增管（PMT）和雪崩光电二极管（APD）。该器件采用独特的检波器原理，设计紧凑，具有超高增益、高动态范围、极低噪声和快速响应。这种高性能检测器为分析仪器应用提供了基本优势，例如发射光谱、荧光透视以及生物和化学发光。CPM还在生命科学产品、工业和医疗设备以及高能物理方面具有重要优势。

PyroScan是新一代千兆以太网高温摄像机，用于监控回转窑或熟料冷却器的内部。该摄像机能够检测燃烧的任何变化和熟料下落的可视化。操作员可以立即看到燃烧器调整、生料成分变化或使用替代燃料的影响。他还可以识别过程问题，如熟料雪崩或红河形成。操作员可以在视频图像上选择图像的每个像素，以测量温度，跟踪温度变化并检查火焰形状（火焰长度/宽度和黑根长度）等的变化。

硅雪崩光电二极管用于250nm和1100nm之间的波长范围。这些光电二极管的雪崩效应使它们非常适合于检测极弱的光强度。不同的版本针对其各自的波长范围进行优化。

Femto的FWPR-20-Si是一款FemotWATT光接收器，工作波长范围为320至1100 nm.它是通过将Si PIN光电二极管与跨阻抗放大器相结合而设计的。跨阻抗放大器提供高达10^12 V/A的高增益，并具有0.7 FW/Hz的极低噪声。该光接收器可用于高达50飞瓦（FW）的光功率的直接检测，并且具有高灵敏度。它需要15 V的直流电源，功耗高达15 mA.光接收器在可见光和近红外区域提供高量子效率。由于其高灵敏度，它可以取代APD（雪崩光电二极管），光电倍增管（PMT）和液氮冷却锗光电二极管在冷却和高功率电源不可用的应用。FWPR-20-Si采用镀镍模块，尺寸为84.0 X 51.0 27.3 mm，带BNC母连接器。它是荧光测量、光谱、电泳和色谱应用的理想选择。

模拟模块的7510-1-04是一款InGaAs雪崩光电二极管前置放大器光接收器，工作范围为1.0μm至1.7μm.接收器的探测器有效直径高达220μm.它的动态范围超过30dB，噪声等效功率低于5nW.该光学接收器采用PCB安装密封扁平TO-8封装，非常适合眼睛安全传感器、测距和医疗应用。

Laser Components的IAG 350X是一款InGaAs雪崩光电二极管，可在1100 nm至1630 nm的光谱范围内进行检测。该探测器在1550nm处的峰值响应度为0.94A/W，在1000~1600nm范围内的量子效率大于70%。它的有源区直径为350微米，带宽高达2.5 GHz.该光电二极管具有大于200kW/cm2的高损伤阈值。芯片密封在改进的TO-46封装中或安装在陶瓷底座上。该探测器是测距应用、自由空间光通信和高分辨率光学相干层析成像的理想选择。

来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管，在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。

Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列，工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数，元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装，非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管（APD），可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构，在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装，针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管，工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz，响应度为0.5A/W，有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG（地/信号/地）电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA，击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装，非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度，并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用，包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管（PMT）的固态替代品。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。