• MTPD1346D-300 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为4.3 MHz,电容为2090 PF,暗电流为265 uA,响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。

  • MTPD1500D-2.5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为1000 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

  • MTPD3650D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管,波长范围为365 nm,电容为250 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPD4400D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为300 PF,暗电流为10至30 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPS15.0PV1-5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 暗电流: 1.0 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为50至190 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • APA1101040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。

  • APA1101120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。

  • APA1201010000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

  • APA1201040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。

  • APA1201120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息,请联系我们。

  • BMPDT080-1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 1 nA

    II-VI Incorporated的BMPDT080-1是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为20 PF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为1 A/W.有关BMPDT080-1的更多详细信息,请联系我们。

  • INM00AA10D102 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 2 nA

    II-VI Incorporated的INM00AA10D102是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为5 PF,暗电流为2 nA,响应度/光敏度为0.9 A/W.有关INM00AA10D102的更多详细信息,请联系我们。

  • INO00AA10D102 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 5 to 10 pF

    II-VI Incorporated的INO00AA10D102是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为5至10 PF,暗电流为1至120 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INO00AA10D102的更多详细信息,请联系我们。

  • INP02KK40D101 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 1260 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 80 fF

    II-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管,波长范围为1260至1620 nm,带宽为18 GHz(O/E),电容为80 FF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息,请联系我们。

  • IA35 Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    波长范围: 900 to 3500 nm 光电二极管材料: InAs 电容: 1000 pF 暗电流: 0.15 to 1 nA 响应度/光敏度: 1.05 A/W

    Laser Components的IA35系列是与InAs衬底匹配的异质结构光电二极管,标称截止波长为3.5µm.IA35探测器为光伏探测器,有效区域直径为500µm.这些光电二极管的峰值响应度为1.05 A/W,是气体分析、二极管激光监控和非接触式温度测量应用的理想选择。

  • IG17-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG17系列是一款全色PIN光电二极管,标称截止波长为1.7µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它提供出色的分流电阻,并在宽范围内具有1.05 A/W的卓越响应度。光电二极管采用TO-CAN封装,非常适合二极管激光监控、火焰控制和分光光度计应用。

  • IG19-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1.87 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG19系列是一款全色PIN光电二极管,标称截止波长为1.9µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻,并在宽范围内具有出色的响应度。

  • IG22-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: up to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 40 to 5200 pF

    Laser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度,并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装,是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。

  • IG24-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.35 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG24系列是一款光电二极管,波长范围为2.35µm,电容为60至1040 PF,暗电流为0.2至25 uA,响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W,有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息,请联系我们。