来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400CCER的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400LCER的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400WCER的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-4M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

OSI Laser Diode，Inc.的FIL-UV005是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.14 A/W，上升时间为0.9µs.有关FIL-UV005的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的FIL-UV50是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关FIL-UV50的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的LSC-30D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为300 PF，暗电流为0.025至25 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为3µs.有关LSC-30D的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的LSC-5D是一款光电二极管，波长范围670 nm，电容50 PF，暗电流0.01至10 nA，响应度/光敏度0.35至0.42 A/W，上升时间0.25µs.有关LSC-5D的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-0是波长范围为900 nm、电容为3至12 PF、暗电流为1至3 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关OSD1-0的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为35 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为7µs.有关OSD1-5T的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-5TA是一款光电二极管，波长范围436nm，电容2500 PF，暗电流30 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间45µs.有关OSD100-5TA的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD15-0是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为20至150 PF，暗电流为8至15 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为9 ns.有关OSD15-0的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD15-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为390 PF，暗电流为10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为12µs.有关OSD15-5T的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD3-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为80 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为9µs.有关OSD3-5T的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-0是波长范围为900 nm、电容为46 PF、暗电流为12 nA、响应度/光敏度为0.54 A/W、上升时间为12 ns的光电二极管。有关OSD35-0的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-A是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A、旁路电阻3GΩ、NEP 5.6 e-15 W/√Hz的光电二极管。有关OSD35-LR-A的更多详细信息，请联系我们。

OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-D是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A/W、旁路电阻0.3 GΩ、NEP 1.8 e-14 W/√Hz 的光电二极管。有关OSD35-LR-D的更多详细信息，请联系我们。