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光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nAAlphaLas公司的UPD-300-UP是一种光学探测器，波长范围170~1100nm，上升时间300ps，暗电流0.01nA，带宽1GHz，有源区直径0.283mm.有关UPD-300-UP的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 40 pF 暗电流: 10 to 300 nAOSI Laser Diode，Inc.的DLS-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至40 PF，暗电流为10至300 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08µs.有关DLS-2的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.30至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 1800 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-3000-X是一种波长范围为900至1700 nm、电容为750至1800 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。FCI-InGaAs-3000-X的更多详细信息可参见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300ACER是波长范围为900至1700nm、电容为10pF、暗电流为0.3至5nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为1.5ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300ACER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/WOSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1的更多详情见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/WOSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300B1X4是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1X4的更多详细信息见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/WOSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300CCER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300LCER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300WCER的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的FIL-UV005是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.14 A/W，上升时间为0.9µs.有关FIL-UV005的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 0.025 to 25 nAOSI Laser Diode，Inc.的LSC-30D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为300 PF，暗电流为0.025至25 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为3µs.有关LSC-30D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 830 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/WOSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-A是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A、旁路电阻3GΩ、NEP 5.6 e-15 W/√Hz的光电二极管。有关OSD35-LR-A的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 830 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/WOSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-D是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A/W、旁路电阻0.3 GΩ、NEP 1.8 e-14 W/√Hz 的光电二极管。有关OSD35-LR-D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN 10D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为300至1500 PF，暗电流为2至25 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为43 ns.有关引脚10D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为300至1500 PF，暗电流为2至25 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为43 ns.有关引脚10DI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4300 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-44DP是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为4300 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为475 ns.有关PIN-44DP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4300 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-44DPI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为4300 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为475 ns.有关PIN-44DPI的更多详细信息，请联系我们。