• FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+85°C 工作温度: 0~+70°C 焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500µm X µm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W

    OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计,其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管,专为高速通信领域设计,特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

  • FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: 0~+5.5V 输入光功率: ---~+3dBm 电源电流: 26~65mA

    FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器,如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器,封装在密封的4针TO-46封装中,适用于高速信号放大。

  • FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

    FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器,具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中,为高速信号检测和放大提供了理想条件。

  • FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

    FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层,能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度,支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座,适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外,500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

  • FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

    FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装,具有75微米和120微米的活动区域,适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准,并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

  • FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5V

    FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸,封装在4针TO-46或TO-52封装中,为高速信号放大提供了理想条件。

  • AS615-UDK-H/AS615-EDK-H高精度的车辆监控系统 发光二极管
    美国
    分类:发光二极管
    安装位置: Overhead: 19.5 Ft – 25 Ft / 5.9 – 7.6m 视场角: 30 degrees 角分辨率: 1 degree 扫描速率: 360 scans per second per beam 车辆分类类别: 11 standard, plus 20 user-definable categories

    AS615-UDK-H和AS615-EDK-H是高精度的车辆监控系统,适用于单车道和多车道的开放道路或收费站,实现车辆检测、分离、分类和相机触发。

  • AS618-UDK-H/AS618-EDK-H 开放道路相机触发设备 发光二极管
    美国
    分类:发光二极管
    安装位置: Overhead: 16.5 Ft – 25 Ft / 5.5 – 7.6m 视场角: 35 degrees 角分辨率: 1 degree 扫描速率: 360 scans per second per beam 车辆分类类别: 11 standard, plus 20 user-definable

    AS618-UDK-H 和 AS618-EDK-H用于单车道和多车道的车辆检测、分离、分类和相机触发的设备,适用于开放道路或收费站,具备高精度和高速扫描能力。

  • Dual LED series 辐射测量仪器 激光扫描和测距
    美国
    活动区域: 0.81-8.4mm 光谱响应: A/W 暗电流: nA 反向电压: V 工作温度范围: °C

    Dual LED series系列产品包括一个660nm(红色)LED和一个配套的IR LED(如880/895, 905, 或940nm)。这些产品广泛应用于医疗分析和监测设备的辐射测量中。它们也可以用于需要低成本双波长光源的应用。提供两种引脚配置:1)三引脚共阳或共阴,2)两引脚并联背靠背连接。产品有两种封装方式:透明引线框架侧视型和无引线陶瓷基底。

  • 1064CHP 500 mW 1060 nm冷却种子/泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 500-525 mW 峰值波长: 1050-1070 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.2 W

    1064CHP 1060 nm高功率单模激光模块是为需要在1050-1070 nm波长范围内工作的脉冲和连续波(CW)光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用。

  • 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装 波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表 最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表 操作模式: CW (Continuous Wave)

    3SP Technologies提供的980nm泵浦模块,适用于光纤激光器泵浦源等多种应用,具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块,采用冷却的14针或10针蝴蝶封装,带有背面监视光电二极管。

  • 1064CHP 1030 nm高功率单模激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 150-170 mW 峰值波长: 1025-1045 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.0 W

    1064CHP 150 mW 1030 nm高功率单模激光模块是为需要在1025-1045 nm范围内工作波长的脉冲和CW光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用,具备高工作功率和宽温度范围。

  • 1999PLU 980纳米未冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 85 mA 标称工作功率: 100-300 mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 225-600 mA 正向电压: 1.75-2.1 V

    1999PLU是一款新一代980纳米未冷却泵浦模块,采用内部芯片技术,专为紧凑型和功率效率要求高的应用设计,通过Telcordia GR-468-CORE认证,符合RoHS标准。具备高达300mW的工作功率,适用于EDFA、多泵浦架构和传感器等应用。

  • 1999CMB 605mW FBG稳定的980纳米冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50 mA 标称工作功率: 150-550 mW 无故障功率: 290-620 mW 正向电流: 680-870 mA 正向电压: 1.9 V

    1999CMB是一款新一代980纳米波长的陆上泵浦模块,采用内部芯片技术,通过完全合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用系统。

  • 1999CHX 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 550-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1000-1150mA 正向电压: 1.9V

    1999CHX是一款新一代980nm陆地泵浦模块,采用公司自主芯片技术,全面合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。这款小型化、密封的激光模块,最高可提供680mW的操作功率,适用于高输出功率低噪声EDFAs、密集波分复用EDFAs和CATV。

  • 1999SHB 980nm高功率泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 80mA 标称工作功率: 350-540mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 880-1010mA 前向电压@600mW: 1.9V

    1999SHB是一款新一代的980纳米波长的陆地泵浦模块,采用公司自有芯片技术提供卓越的性能和可靠性。该模块具有低功耗、高波长和功率稳定性,满足Telcordia GR-468 CORE标准,适用于高功率低噪声掺铒光纤放大器、密集波分复用和CATV系统。

  • AD200 高效单光子探测器 光电探测器
    英国
    分类:光电探测器
    厂商:RedWave Labs Ltd
    量子效率: 70% 量子效率: 55% 功率: 单一+12V 波长: 400-1100nm 光电二极管击穿电压: 125V@25C

    Redwave Labs的AD200是一款紧凑型且价格实惠的单光子探测器模块,内置计数器。它基于在可见光谱范围内敏感的可靠硅雪崩光电二极管。AD200在近可见区域(约650nm)有很高的探测效率,并具备主动淬灭和全数字温度控制功能。标配有独立电源 ,可用于激光扫描显微镜、粒子物理和分光光度计等。

  • L-Scan 836 询问器及软件包 光纤布拉格光栅
    通道数量: 36 扫描频率: 0.5Hz 波长范围: 80nm (1510-1590nm) 工作温度范围: -5°C to +50°C 存储温度范围: -10°C to +60°C

    L-Scan 836询问器及软件包适用于FBG传感器的并行测量,提供完整的管理、数据存储和分析工具。用于并行FBG测量的易于使用、高性价比的询问器,包括Sentinel测量软件包。