Centronic的OSD5-1是一款光电二极管，波长范围为250至430 nm，电容为12至52 PF，暗电流为5至20 nA，响应度/光敏度为0.03至0.16 A/W，有效区域直径为2.52 mm.有关OSD5-1的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD5-3T是一种光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为5至30 PF，暗电流为7至30 nA，响应度/光敏度为0.54至0.61 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD5-3T的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD5-4X是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为4至32 PF，暗电流为10至100 nA，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W，上升时间为12 ns.有关OSD5-4x的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD5.8-7是一款光电二极管，波长范围为254至900 nm，电容170 PF，暗电流3 nA，响应度/光敏度0.10至0.15 A/W，上升时间0.4µs.有关OSD5.8-7的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD50-0是一款光电二极管，波长范围为430至1064 nm，电容为65至500 PF，暗电流为15至50 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为13 ns.有关OSD50-0的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD50-1是一款光电二极管，波长范围为250至430 nm，电容为110至500 PF，暗电流为100至500 nA，响应度/光敏度为0.03至0.16 A/W，有效区域直径为7.98 mm.有关OSD50-1的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD50-3T是一种光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为27至290 PF，暗电流为50至200 nA，响应度/光敏度为0.54至0.61 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD50-3T的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD50-4X是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为20至320 PF，暗电流为50至500 nA，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W，上升时间为12 ns.有关OSD50-4X的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD50-5T是一款光电二极管，波长范围430至900 nm，电容270至1300 PF，暗电流5至15 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间26 ns.有关OSD50-5T的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD60-3T是一种光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为32至350 PF，暗电流为50至300 nA，响应度/光敏度为0.54至0.61 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD60-3T的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的OSD7.5-5T是一款光电二极管，波长范围为430至900 nm，电容为40至180 PF，暗电流为1至3 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD7.5-5T的更多详细信息，请联系我们。

来自Centronic的Q7-0是波长范围为430至1064nm的光电二极管，电容为4至20pF，暗电流为4至15nA，响应度/光敏度为0.47至0.54A/W，上升时间为10ns.有关Q 7-0的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的QD100-0是一种光电二极管，波长范围为430至1064 nm，电容为30至250 PF，暗电流为25至50 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为10 ns.有关QD100-0的更多详细信息，请联系我们。

Centronic公司的QD100-1是一种光电二极管，波长范围为250至430 nm，电容为55至250 PF，暗电流为40至200 nA，响应度/光敏度为0.03至0.16 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-1的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的QD100-4X是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为12至155 PF，暗电流为20至300 nA，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W，上升时间为12 ns.有关QD100-4X的更多详细信息，请联系我们。

Centronic的QD100-5T是一款光电二极管，波长范围为430至900 nm，电容为130至650 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.15至0.18 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-5T的更多详细信息，请联系我们。

Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管，工作波长为900至1700 nm（O、E、S、C、L波段）。它可以处理10mW的最大输入光功率，响应度为0.8-0.9A/W，带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm，电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA，反向电压为20V，正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø2.41 mm，非常适合光监控应用。

Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管，工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz，响应度为0.5A/W，有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG（地/信号/地）电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA，击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装，非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

Kyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管，有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米（Si）和0.86 X 0.86平方毫米（InGaAs）。为了扩展波长范围，在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF（Si）、45 PF（InGaAs），响应度高达0.7 A/W（Si）、0.9 A/W（InGaAs）。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作，并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。