来自Qphotonics的QSDM-1650-2是中心波长为1627nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管（SLD）。它提供高达2 MW的输出功率，并具有35 nm（FWHM）的低波纹光谱宽度。该SLD具有高达30%的剩余光谱调制深度和10kOhm的热敏电阻。它的热敏电阻B常数为3900 K，监控电流高达2 mA.该SLD具有高达2 V的正向电压和小于330 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

APE Angewandte Physik&Elektronik的Scandelay USB是一种精密光学延迟线，扫描范围为15ps-150ps.它有一个频率为0.1 Hz至20 Hz的内部发生器，并可在0.1 Hz至20 Hz的频率范围内进行外部触发。该延迟线具有USB输出接口和1 “（15ps）和1/2 ”（50ps/150ps）的通光孔径。Scandelay USB可以产生快速的宽扫描以及最小的延迟，并使用模拟光电系统实时测量实际位置。控制电子设备由电机驱动器和石英稳定信号合成器组成。其光学头有两个版本，采用台式封装，尺寸分别为140 mm X 100 mm X 125 mm（15 PS/50 PS）和220 mm X 263 mm X 204 mm（150 PS扫描延迟），是干涉仪、泵浦-探针配置、相关器和快速扫描模块的理想选择。

标准性能水平–Power Technology的SL23201型氦氖气体激光器电源是一款高效开关模式直流电源，专为12 VDC操作而设计。该型号提供我们的标准性能水平，输出电流纹波<5%峰峰值。SL23201电源提供高达25瓦的电流调节输出。这些电源专为全球市场设计，并具有CE和CTUVUS安全标志。电源完全封装，防尘防潮。

特点： •输出功率>50mW（光纤前）@1020nm-1120nm •无跳模连续调谐 •单独老化和热循环筛选 •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •内置监测光电二极管（可选配） •直插式光隔离器（可选配） •900um松管（可选配）

特点： •集成自由空间光隔离器 •输出功率>30mW（光纤前）@1020nm-1120nm •无跳模连续调谐 •单独老化和热循环筛选 •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •内置监测光电二极管（可选配） •900um松管（可选配）

高能阿秒脉冲产生、固体目标高次谐波产生和激光电子加速等应用都受益于少周期脉冲持续时间和出色的脉冲对比度，同时需要多毫焦脉冲能量。我们强大的高能OPCPA系统可在千赫兹重复率下扩展到多TW峰值功率，同时保持几周期的脉冲持续时间。因此，它们能够满足苛刻的要求，同时提供这种规模的系统前所未有的稳定性和可靠性。 此外，无需复杂和有损的非线性脉冲清洗技术，即可获得> 10¹²的预脉冲对比度，同时在全天运行过程中保持< 250 mrad的CEP稳定性和< 1.5%的脉冲能量稳定性，使其成为一个坚固可靠的多TW系统。

DFB激光器模块，为长途DWDM应用设计，与外部强度调制器配合使用，并集成多种光电组件于标准蝶形封装内。

pco.dicam C1 LX是基于25毫米像增强器的高性能强化16位sCMOS相机。它是pco.dicam C1系列的扩展型号，提供预算友好的选择，同时基于成熟的硬件平台提供真正的光学门控成像体验。S20光电阴极适用于大多数应用需求。

Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

C30950EH是一款硅雪崩光电二极管前置放大器模块，采用单一改良的12引脚TO-8封装。

Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

C30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装，适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。

Excelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管，封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中，适用于高体积激光测距和测距应用。