• MTPC5.0PV1-5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 14 to 70 pF 暗电流: 1.0 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPC5.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为14至70 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC5.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为7 MHz,电容为1260 PF,暗电流为160 uA,响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-300 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为4.3 MHz,电容为2090 PF,暗电流为265 uA,响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。

  • MTPD1500D-2.5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为1000 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

  • MTPD3650D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管,波长范围为365 nm,电容为250 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPD4400D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为300 PF,暗电流为10至30 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。

  • MTPS15.0PV1-5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 暗电流: 1.0 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为50至190 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。

  • APA1101040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。

  • APA1101120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。

  • APA1201010000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

  • APA1201040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。

  • APA1201120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息,请联系我们。

  • BMPDT080-1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 1 nA

    II-VI Incorporated的BMPDT080-1是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为20 PF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为1 A/W.有关BMPDT080-1的更多详细信息,请联系我们。

  • INM00AA10D102 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 2 nA

    II-VI Incorporated的INM00AA10D102是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为5 PF,暗电流为2 nA,响应度/光敏度为0.9 A/W.有关INM00AA10D102的更多详细信息,请联系我们。

  • INO00AA10D102 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 5 to 10 pF

    II-VI Incorporated的INO00AA10D102是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为5至10 PF,暗电流为1至120 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INO00AA10D102的更多详细信息,请联系我们。

  • INP02KK40D101 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 1260 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 80 fF

    II-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管,波长范围为1260至1620 nm,带宽为18 GHz(O/E),电容为80 FF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息,请联系我们。

  • IG24-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.35 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG24系列是一款光电二极管,波长范围为2.35µm,电容为60至1040 PF,暗电流为0.2至25 uA,响应度/光敏度为1.25至1.40 A/W,有效区域直径为250至1000µm.有关IG24系列的更多详细信息,请联系我们。

  • SAE500VX 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAE500VX是一款光电二极管,波长范围为400至1000 nm,电容为4至10 PF,暗电流为5至30 nA,响应度/光敏度为30至38 A/W,上升时间为450 PS.有关SAE500VX的更多详细信息,请联系我们。

  • NXIR-RF100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

    Opto Diode Corporation的NXIR-RF100是一款光电二极管,波长范围为320至1100 nm,电容为3 PF,暗电流为0.1至0.75 nA,响应度/光敏度为0.35至0.62 A/W,上升时间为50 nsec.有关NXIR-RF100的更多详细信息,请联系我们。

  • 2651A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA

    来自Emcore Corporation的2651A是一款光电二极管,波长范围为1100至1600 nm,带宽为1000 MHz,电容为0.35至0.4 PF,暗电流为5至50 nA,响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.