这是一系列可焊接的光电二极管芯片，提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大活动区域的光检测器，无论是否带有飞线以便组装，或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

四边形位置传感器（Tetra-Lateral Position Sensors）采用单一电阻层制造，适用于一维和二维测量。具有共用阳极和两个或四个阴极，用于一维或二维位置感应。适用于工具对准、水平测量和角度测量等多种应用场景。

PIN-4X4D和UDT-4X4D是由OSI Optoelectronics生产的4x4硅光电探测器阵列，具有超蓝增强的光电探测功能。其专有设计实现了16个元素之间几乎完全的隔离。标准的LCC封装便于集成到表面安装应用中。用于散射测量和位置感应，具有快速响应和极低串扰的特点。

双层夹心探测器系列(Dual Sandwich Detector Series)，又称双色探测器，主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线，来测量温度。这些设备适合于光学远程测量，具有不受发射率影响和视场中污染物或移动目标的影响等优点。适用于火焰温度感测、分光光度计等应用，具有紧凑、密封性好等特点。

OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列：反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列：反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计，其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管，专为高速通信领域设计，特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。

FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管，安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控，具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上，适用于高速光通信等应用，为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管，适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管，安装在带引线的陶瓷封装上。

FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗，可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控，具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装，具有75微米和120微米的活动区域，适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准，并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸，封装在4针TO-46或TO-52封装中，为高速信号放大提供了理想条件。

AS615-UDK-H和AS615-EDK-H是高精度的车辆监控系统，适用于单车道和多车道的开放道路或收费站，实现车辆检测、分离、分类和相机触发。