• GUVC-S40GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

    Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

  • AA3528P3S 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA,功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息,请联系我们。

  • AM4457P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA,功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • AP1608P1C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息,请联系我们。

  • AP2012P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP2012P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA,功耗100 MW.有关AP2012P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • APA3010P3BT-GX 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息,请联系我们。

  • APT2012P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.3 mA,功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • KP-2012P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KP-3216P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KPA-3010P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的kPa-3010P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关kPa-3010P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • L-3DP3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • L-7113P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.8 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • WP3DP3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.1至0.2 mA,功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3BT 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.7至3 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息,请联系我们。

  • WP7113P3C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.5至2.5 mA,功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • KPT081M31 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

    Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管,其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2,产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度,上升/下降时间为5μs,暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600,最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装,尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm,非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

  • AQ6360 光谱分析仪
    波长范围: 1200 to 1650 nm 波长分辨率: 0.2 to 2 nm 波长精度: ±0.02 to ±0.10 nm 光纤模式: Multi Mode, Single Mode 动态范围: 55 dB

    横河电机(Yokogawa Electric Corporation)的AQ6360是一款光谱分析仪,非常适合激光、光学收发器和光学放大器等电信设备的工业制造。它的波长范围为1200至1650纳米,基于衍射光栅技术。该分析仪具有20至-80 dB的宽测量范围和55 dB的动态范围。它支持单模和多模光纤。OSA具有内置分析功能以及以太网和GPIB远程接口。

  • AQ6374 光谱分析仪
    波长范围: 350 to 1750 nm 波长分辨率: 0.05 to 10 nm 波长精度: ±0.2 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 60 dB

    Yokogawa Meter&Instruments的AQ6374是一款光谱分析仪,可以评估350至1750 nm的可见光和光通信波长。它具有60dB的宽动态范围和0.05~10nm的高波长分辨率。该分析仪的最大分辨率为2 pm,能够对多达100,000个波长点的功率水平进行采样,因此只需一次扫描即可精确评估和分析各种波长。AQ6374可用于开发分布式半导体器件,如仅发射一种波长的反馈激光二极管(DFB-LD)以及需要在宽波长范围内进行测量的光纤。AQ6374带有两个额外的增强功能。第一个是清除单色仪中捕获的水蒸气的功能,单色仪可以抑制某些波长的光的吸收。第二个功能是减少波长为入射光2–3倍的高阶衍射光的影响,这是所有单色仪因其设计原理而具有的特性。它非常适合半导体和光纤激光器的发射光谱测量以及光纤和光学滤波器的波长传输特性测量。

  • AQ6377 光谱分析仪
    波长范围: 1.9 to 5.5 µm 波长分辨率: 0.2 to 5 nm 波长精度: ±0.50 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 50 dB

    横河电机(Yokogawa Electric)的AQ6377是一款用于环境传感和医疗应用的光谱分析仪。它在1900至5500 nm的中波红外区域提供扩展的波长覆盖范围,波长分辨率为0.2至5 nm.这款频谱分析仪具有−60至13 dBm的宽可测量电平范围和50 dB的动态范围。它具有气体吹扫输入/输出端口、用于高阶衍射光的内置截止滤光片和新颖的双倍速度模式,与标准扫描模式相比,该模式可将扫描速度提高2倍。该器件采用自由空间光输入结构,可同时接受/PC和/APC连接器。

  • AQ6380 光谱分析仪
    波长范围: 1200 to 1650 nm 波长分辨率: 0.005 to 2 nm 波长精度: 0.005 to 0.05 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 45 to 65 dB

    横河电机(Yokogawa Electric Corporation)的AQ6380是一款光谱分析仪,工作波长为1200至1650 nm.它的波长分辨率为0.005-2 nm,步长为0.01 nm,波长精度高达±0.005-±0.05 nm,近动态范围高达65 dB.该频谱分析仪的光回波损耗为30dB,电平灵敏度为-85dB(传统模式)和-72dB(快速模式)。它的最短预热时间为1小时,测量时间为0.2秒。该频谱分析仪需要100至240 V的交流电源,功耗高达100 W.它可以通过以太网、GP-IB、USB和VGA接口进行远程控制,也可以通过10.4英寸彩色LCD触摸屏进行手动控制。AQ6380集成了智能化和功能,包括自动波长校准和优化的扫描速度,可实现更高效的操作。它还包括气体净化机制、全自动波长校准、与高分辨率和高样本计数的兼容性以及单模光纤输入。这款频谱分析仪采用台式模块,尺寸为426 X 221 X 459 mm,配有FC/PC或SC/PC连接器,非常适合WDM测试、DFB-LD测试、LED测试、FP-LD测试、应用管理(添加/删除)和光纤检测应用。