-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 0.025 to 25 nAOSI Laser Diode，Inc.的LSC-30D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为300 PF，暗电流为0.025至25 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为3µs.有关LSC-30D的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.01 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的LSC-5D是一款光电二极管，波长范围670 nm，电容50 PF，暗电流0.01至10 nA，响应度/光敏度0.35至0.42 A/W，上升时间0.25µs.有关LSC-5D的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 12 pF 暗电流: 1 to 3 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-0是波长范围为900 nm、电容为3至12 PF、暗电流为1至3 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关OSD1-0的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 pF 暗电流: 1 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD1-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为35 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为7µs.有关OSD1-5T的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 to 35 pF 暗电流: 0.2 to 1 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-E是波长范围为550 nm、电容为7至35 PF、暗电流为0.2至1 nA、响应度/光敏度为2.2 nA/Lux的光电二极管。有关OSD1-E的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 1000 pF 暗电流: 30 to 70 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 暗电流: 30 nA
OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-5TA是一款光电二极管，波长范围436nm，电容2500 PF，暗电流30 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间45µs.有关OSD100-5TA的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 to 150 pF 暗电流: 8 to 15 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD15-0是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为20至150 PF，暗电流为8至15 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为9 ns.有关OSD15-0的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 390 pF 暗电流: 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD15-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为390 PF，暗电流为10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为12µs.有关OSD15-5T的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 390 pF 暗电流: 2 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD15-E是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为80至390 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为33 nA/Lux.有关OSD15-E的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 pF 暗电流: 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD3-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为80 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为9µs.有关OSD3-5T的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 to 80 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD3-E是波长范围为550nm、电容为20至80pF、暗电流为0.5至2nA、响应度/光敏度为6.6nA/Lux的光电二极管。有关OSD3-E的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 46 pF 暗电流: 12 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD35-0是波长范围为900 nm、电容为46 PF、暗电流为12 nA、响应度/光敏度为0.54 A/W、上升时间为12 ns的光电二极管。有关OSD35-0的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 830 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/WOSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-A是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A、旁路电阻3GΩ、NEP 5.6 e-15 W/√Hz的光电二极管。有关OSD35-LR-A的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 830 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/WOSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-D是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A/W、旁路电阻0.3 GΩ、NEP 1.8 e-14 W/√Hz 的光电二极管。有关OSD35-LR-D的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 50 pF 暗电流: 5 to 10 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-0是波长范围为900 nm、电容为8至50 PF、暗电流为5至10 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为8 ns的光电二极管。有关OSD5-0的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 pF 暗电流: 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD5-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为130 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为9µs.有关OSD5-5T的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 130 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-E是波长范围为550nm、电容为35至130pF、暗电流为0.5至2nA、响应度/光敏度为11nA/Lux的光电二极管。有关OSD5-E的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 75 to 600 pF 暗电流: 15 to 50 nA
来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-0是波长范围为900 nm、电容为75至600 PF、暗电流为15至50 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为14 ns的光电二极管。有关OSD60-0的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1800 pF 暗电流: 25 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD60-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为1800 PF，暗电流为25 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为30µs.有关OSD60-5T的更多详细信息，请联系我们。
产品选型就用光电查
个人中心
退出登录