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  • FCI-InGaAs-400WCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-400WCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400WCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-4M 光电二极管
    FCI-InGaAs-4M
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-4M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-500 光电二极管
    FCI-InGaAs-500
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.50至20、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-500ACER 光电二极管
    FCI-InGaAs-500ACER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500ACER是波长范围为900至1700nm、电容为20pF、暗电流为0.5至20nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为10ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500ACER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-500CCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-500CCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500CCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-500LCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-500LCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。FCI-InGaAs-500LCER的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-500WCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-500WCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500WCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75-XX-XX 光电二极管
    FCI-InGaAs-75-XX-XX
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75-XX-XX是波长范围为900至1700 nm的光电二极管，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.75至0.90 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75ACER 光电二极管
    FCI-InGaAs-75ACER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75Acer是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间0.2ns.有关FCI-InGaAs-75ACER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75C-XX-XX 光电二极管
    FCI-InGaAs-75C-XX-XX
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75CCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-75CCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75LCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-75LCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75LCER是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间为020ns.有关FCI-InGaAs-75LCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75WCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-75WCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75WCER是一种光电二极管，其波长范围为900至1700 nm，电容为0.65 PF，暗电流为0.03至2 nA，响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75WCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-8M 光电二极管
    FCI-InGaAs-8M
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-Q1000 光电二极管
    FCI-InGaAs-Q1000
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 pF 暗电流: 0.5 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-Q3000 光电二极管
    FCI-InGaAs-Q3000
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 光电二极管
    FCI-InGaAs-WCER-LR
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为15 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.FCI-InGaAs-WCER-LR的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-XXX-X Series 光电二极管
    FCI-InGaAs-XXX-X Series
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pF

    OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

  • FIL-UV005 光电二极管
    FIL-UV005
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的FIL-UV005是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.14 A/W，上升时间为0.9µs.有关FIL-UV005的更多详细信息，请联系我们。

  • FIL-UV50 光电二极管
    FIL-UV50
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的FIL-UV50是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关FIL-UV50的更多详细信息，请联系我们。