• MTD1114M3B 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 925 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 to 130 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD1114M3B是波长范围为925 nm、电容为100至130 PF、暗电流为0.5至5 nA、上升时间为2 us的光电二极管。有关MTD1114M3B的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD1200M3B 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 925 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 100 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD1200M3B是波长范围为925 nm、电容为80至100 PF、暗电流为0.5至5 nA、上升时间为2 us的光电二极管。有关MTD1200M3B的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD3010N 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3010N是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD3010N的更多详情见下文。

  • MTD3010PM 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 to 100 pF 暗电流: 10 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3010PM是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为60至100 PF,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.58 A/W.MTD3010PM的更多详情见下文。

  • MTD3910D3 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 6 to 12 pF 暗电流: 10 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3910D3是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为6至12 PF,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.45 A/W.MTD3910D3的更多详情见下文。

  • MTD5010N 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5010N是一款光电二极管,波长范围为850 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010N的更多详情见下文。

  • MTD5010W 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5010W是一款光电二极管,波长范围为850 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010W的更多详情见下文。

  • MTD5052N 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 525 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 暗电流: 5 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5052N是一款光电二极管,波长范围为525 nm,电容为100 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.3 A/W.MTD5052N的更多详情见下文。

  • MTPC10.0PV1-5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 47 to 120 pF 暗电流: 1.0 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPC10.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为47至120 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC10.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-010 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 10 pF 暗电流: 1 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-010是波长范围为1300 nm、电容为10 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-010的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 60 pF 暗电流: 2 uA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-100是波长范围为1300 nm、电容为60 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-100的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1500D-2.5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为1000 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

  • MTPD4400D-1.4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为300 PF,暗电流为10至30 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装,比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • APA1101040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。

  • APA1101120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为12至14 GHz,电容为110至150 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。

  • APA1201010000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。

  • APA1201040000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。

  • APA1201120000 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF

    来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管,波长范围为840 nm、850 nm、860 nm,带宽为20 GHz,电容为50至100 FF,暗电流为3至100 pA,响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息,请联系我们。

  • INM00AA10D102 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 2 nA

    II-VI Incorporated的INM00AA10D102是一款光电二极管,波长范围为1270至1620 nm,电容为5 PF,暗电流为2 nA,响应度/光敏度为0.9 A/W.有关INM00AA10D102的更多详细信息,请联系我们。