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MTD1200M3B 光电二极管

MTD1200M3B

分类: 光电二极管

厂家: Marktech Optoelectronics

产地: 美国

型号: MTD1200M3B

更新时间: 2024-08-25 01:41:56

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概述

来自Marktech Optoelectronics的MTD1200M3B是波长范围为925 nm、电容为80至100 PF、暗电流为0.5至5 nA、上升时间为2 us的光电二极管。有关MTD1200M3B的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 波长范围 / Wavelength Range : 925 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 电容 / Capacitance : 80 to 100 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 0.5 to 5 nA

图片集

MTD1200M3B图1
MTD1200M3B图2
MTD1200M3B图3
MTD1200M3B图4
MTD1200M3B图5
MTD1200M3B图6
MTD1200M3B图7
MTD1200M3B图8
MTD1200M3B图9

规格书

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厂家介绍

Marktech光电成立于1985年,是一家领先的红外发射器、点源LED、紫外-可见-红外探测器(硅光电二极管、InGaAs探测器)和LED发射器的制造商,也是Cree LED和SETi LED的增值分销商。我们的标准组件可通过Digikey和Mouser获得。我们还根据OEM规格定制设计工程师组件。 我们的现场工程和测试团队与原始设备制造商合作,设计发射器、红外探测器、探测器-发射器对和组件,以优化产品性能并较大化总成本效益。此外,Marktech可以使用紫外-可见-红外探测器将发射器分类或分类到精确的峰值波长(±1nm),以匹配化学分析和诊断应用。我们位于加利福尼亚州西米谷的工厂可以生产用于分析仪器和工业传感应用的快速、高灵敏度硅光电二极管探测器和探测器阵列。我们还制作了InGaAs pin光电二极管,用于SWIR检测。

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