• APA4401120001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.3 to 2.2 mW 工作电压: 2.2 V 阈值电流: 0.3 to 1.3 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4401120001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.3至2.2mW,工作电压为2.2V,阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401120001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501010001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4501010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501010002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4501010002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010002的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501040002 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4501040002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501040002的更多详细信息,请联系我们。

  • APA4501120001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.5 to 2.2 mW 工作电压: 2.1 to 2.2 V 阈值电流: 0.7 to 1.2 mA

    来自II-VI Incorporated的APA4501120001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.5至2.2mW,工作电压为2.1至2.2V,阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501120001的更多详细信息,请联系我们。

  • APA7501010009 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1.7 to 2.7 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 5 to 6 mA

    来自II-VI Incorporated的APA7501010009是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.7至2.7mW,工作电压为1.9V,工作电流为5至6mA.有关APA7501010009的更多详细信息,请联系我们。

  • APA8501010001 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 工作电压: 2.3 V 工作电流: 2.3 to 6 mA 阈值电流: 1 to 5 mA

    II-VI Incorporated的APA8501010001是一款激光二极管,波长为840 nm、850 nm、860 nm,输出功率为0.9 MW(SM),工作电压为2.3 V,工作电流为2.3至6 mA.有关APA8501010001的更多详细信息,请联系我们。

  • BH3FP 半导体激光器
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 工作电压: 1.6 V 工作电流: 60 to 80 mA 阈值电流: 2.6 to 12 mA

    来自II-VI Incorporated的BH3FP是波长为1260nm、1345nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为2.6至12mA的激光二极管。有关BH3FP的更多详细信息,请联系我们。

  • BMU100/120-976S-02-R 半导体激光器
    波长: 976 nm 输出功率: up to 120 W 工作电压: 30 V 工作电流: 10 A 阈值电流: 500 to 700 mA

    II-VI Incorporated的BMU100/120-976S-02-R是976 nm泵浦激光模块,具有高达120 W的波长稳定输出功率。该模块采用新一代多模激光二极管,具有E2前镜钝化功能,可防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤(COD)。激光二极管串联连接,以实现快速电流切换。该模块包括一个反馈保护滤波器,可保护激光二极管免受有害的光纤激光器波长反馈光的影响。精确的波长稳定性减少了激光系统的预热时间和维护,提高了生产率。这种波长稳定的泵浦激光器模块是超快光纤激光器泵浦、超连续谱、医疗、分析和直接应用的理想选择。

  • BPC/OPC 40W, 60W & 80W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.7 to 1.8 V 工作电流: 39 to 92 A 阈值电流: 7 to 24 A

    来自II-VI Incorporated的BPC/OPC 40W、60W和80W是具有波长790nm、808nm、880nm、工作电压1.7至1.8V、工作电流39至92A、阈值电流7至24A的激光二极管。BPC/OPC 40W、60W和80W的更多细节可以在下面看到。

  • BPC/OPC 80W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 81 to 83 A 阈值电流: 8 A

    II-VI Incorporated的BPC/OPC 80W是一种激光二极管,其波长为915 nm、940 nm、980 nm、1030 nm,工作电压为1.5至1.65 V,工作电流为81至83 A,阈值电流为8 A.

  • CM97A1064BFBG 半导体激光器
    波长: 1064 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅 (FBG) 工作模式: CW/脉冲

    II-VI Incorporated的CM97A1064BFBG是波长为1064±2nm的超宽带激光二极管,CW模式输出功率为550-650mW,脉冲模式输出峰值功率为1.2-1.4W,工作电压为1.7-2.5V,阈值电流为40-80mA,可应用于光纤激光器和传感技术。有关CM97A1064BFBG的更多详细信息,请联系我们。

  • CM97A1064NFBG 半导体激光器
    波长: 1064 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅 (FBG) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CM97A1064NFBG是波长为1064±1nm的窄线宽激光二极管,CW模式输出功率为600-700mW,脉冲模式输出峰值功率为1.2W-1.4W,工作电压为1.7-2.5V,阈值电流为40-80mA.有关CM97A1064NFBG的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1030A 半导体激光器
    波长: 1030 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 分布式反馈(DFB) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CMDFB1030A是波长稳定高功率单频单模激光器模块,设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。波长为1030±2nm的激光二极管,CW输出功率150-200mW,脉冲输出功率300-800mW,可应用于光纤激光系统,频率转换,光谱学。有关CMDFB1030A的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1064A 半导体激光器
    波长: 1063.5 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 分布式反馈 (DFB) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CMDFB1064A是波长稳定高功率单频单模激光器模块,设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。波长为1063.5±2nm的激光二极管,CW输出功率150-200mW,脉冲输出功率300-800mW,可应用于光纤激光系统,频率转换,光谱学。有关CMDFB1064A的更多详细信息,请联系我们。

  • DFB15 半导体激光器
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 工作电压: 1.6 V 阈值电流: 8 to 29 mA 激光颜色: Infrared

    II-VI Incorporated的DFB15是一款激光二极管,波长为1269.5 nm、1289.5 nm、1309.5 nm,工作电压为1.6 V,阈值电流为8至29 mA,工作温度为0至85摄氏度,存储温度为-40至100摄氏度。

  • FP12 半导体激光器
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 工作电压: 1.6 V 工作电流: 110 mA 阈值电流: 6 to 15 mA

    来自II-VI Incorporated的FP12是波长为1260nm、1345nm、工作电压为1.6V、工作电流为110mA、阈值电流为6至15mA的激光二极管。有关FP12的更多详细信息,请联系我们。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • I940-2902-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 6 A

    II-VI Incorporated的I940-2902-G01是一款激光二极管,输出功率为5 W,输出功率为5 W,工作电压为2.2 V,工作电流为6 A,工作电流为6 A.I940-2902-G01的更多详情见下文。

  • IND02B000D102 半导体激光器
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1270 nm 工作电压: 1.6 V 工作电流: 60 to 80 mA

    来自II-VI Incorporated的IND02B000D102是波长为1270nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02B000D102的更多详细信息,请联系我们。