全部产品分类
首页 激光器和发光二极管 半导体激光器 IND02B000D102
IND02B000D102 半导体激光器

IND02B000D102

分类： 半导体激光器

厂家： II-VI Laser Enterprise GmbH

产地： 美国

型号： IND02B000D102

更新时间： 2024-06-25 16:20:01

简介：

1300nm 28 Gb/s NRZ DFB Laser Diode Chip

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

来自II-VI Incorporated的IND02B000D102是波长为1270nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02B000D102的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 1270 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 17 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 阈值电流 / Threshold Current : 5-17mA
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.1-0.2W/A
  • 饱和电流 / Saturation Current : 80-100mA
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6V
  • 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm
  • 电容 / Capacitance : 1.2pF
  • 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : 7-60
  • 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : >35dB
  • 波长 / Wavelength : 看下表
  • 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient : 0.09nm/°C
  • 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
  • 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : 30degree
  • 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : 35degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -132dB/Hz1/2
  • 带宽 / Bandwidth : 18-21GHz
  • 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : 15.5-17.5GHz

应用

1.光纤通信链接 2.千兆以太网和存储区网络 3.5G无线前传数据链路

特征

1.设计用于无冷却28 Gb/s NRZ 2.适用于非密封封装的GR-468标准 3.卓越的可靠性 4.顶部阳极和背面阴极配置

规格书

下载规格书

厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字，是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结，明确的目标，以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术，连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

智推产品

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFLEX虹膜™固态激光系统在小型封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到要求高性能但需要保持较小形状系数的仪器中。由于主动温度控制，激光器无模式跳变，波长稳定。所有CW iFLEX iRIS激光器都使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能可提供高度稳定的输出功率，并确保在产品的整个使用寿命内保持高功率稳定性。

  • 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 10.26 μm DISTRIBUTED FEEDBACK (DFB) QCL 半导体激光器 10.26 μm 分布式反馈（DFB）QCL 半导体激光器 AdTech Optics Inc.

    输出功率: 59.3mW

    10.26μm分布反馈（DFB）QCL.

  • 1030nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1030纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1030nm 输出功率: 280mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

相关文章

  • 什么是半导体激光器？应用范围有哪些？

    半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。

  • 一个前景广阔的解决方案：用于光子封装的双光子光刻技术

    在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。

  • 半导体激光器选择与应用指南

    半导体激光器，以其小巧的体积和高效的光电转换效率，在光纤通信、医疗治疗和工业加工等多个领域发挥着重要作用。购买时需考虑波长范围、功率水平和光电性能等关键参数，以确保激光器满足特定应用需求。

  • II-VI公司推出高性能CM97A1064与APA4501040001激光器

    II-VI Laser Enterprise GmbH 的 CM97A1064 和 APA4501040001 激光器，以其卓越的性能和可靠性，分别在光纤激光器和高速通信领域树立了新的标杆。这些创新产品不仅提升了能源效率，也满足了严苛的环保标准，引领行业技术向前发展。

立即咨询

加载中....