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FP12 半导体激光器

FP12

分类：半导体激光器

厂家： II-VI Laser Enterprise GmbH

产地：美国

型号： FP12

更新时间： 2024-08-29 05:48:56

简介：

10 Gb/s FB Laser Diode Chip

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特征
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厂家介绍

概述

来自II-VI Incorporated的FP12是波长为1260nm、1345nm、工作电压为1.6V、工作电流为110mA、阈值电流为6至15mA的激光二极管。有关FP12的更多详细信息，请联系我们。

参数

技术 / Technology : Fabry-Perot (FP)
工作模式 / Operation Mode : CW Laser
工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
工作电流 / Operating Current : 110 mA
阈值电流 / Threshold Current : 6 to 15 mA
激光颜色 / Laser Color : Infrared
类型 / Type : Free Space Laser Diode
阈值电流 / Threshold Current : 95°C 15mA, 25°C 6mA
斜率效率 / Slope Efficiency : 95°C 0.15W/A, 25°C 0.28W/A
斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : 0°C, 85°C 1.5
正向电压 / Forward Voltage : P=5mW 1.6V
串联电阻 / Series Resistance : P=5mW 5-11Ohm
前后功率比 / Front/Back Power Ratio : 5-30
光谱宽度 / Spectral Width : I=60mA, 95°C 2.4nm
波长 / Wavelength : -40°C to 95°C 1260-1345nm
波长温度系数 / Wavelength Temp. Coefficient : 0.5nm/°C
水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : θFWHM 28degree
垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : θFWHM 34degree
带宽 / Bandwidth : I=60mA, 95°C 13GHz
松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : I=60mA, 95°C 10GHz
相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -132dB/Hz1/2
工作电流 / Operating Current : 110mA
运行功率 / Operating Power : 40mW
反向电压 / Reverse Voltage : 2V
环境曝光等级 / Environmental Exposure Ratings : Tc -10 to +95°C, Tstg -40 to +100°C
芯片宽度 / Chip Width : 260-300µm
芯片长度 / Chip Length : 180-220µm
芯片厚度 / Chip Thickness : 80-90µm
焊盘宽度 / Bond Pad Width : 75µm
焊盘长度 / Bond Pad Length : 75µm

应用

1.高速光纤通信；2.数据中心网络；3.长距离光传输系统。

特征

1.专为10Gb/s设计；2.支持无隔离器操作；3.-40°C至95°C的工作温度范围；4.1310nm的主要波长。

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厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字，是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结，明确的目标，以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术，连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

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