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波长: 1572nm 平均值功率: 0.8W 重复频率: 0.001 - 1 kHz 空间模式: 2.5 脉宽: 2.5nsWEDGE-XB系列激光器是一种亚纳秒、4mJ、单次发射至2kHz的风冷激光器，在1064nm处的峰值功率为4mW。二次、三次和四次谐波选项（532nm、355nm和266nm）和波长转换选项（1.5um）拓宽了光楔的应用范围。基于专有的快速主动调Q技术，这些密封的DPSS激光器对振动和恶劣环境不敏感。紧凑和轻便的封装在激光雷达和其他航空航天应用中具有很大的优势，而短脉冲和高峰值功率，产生的热量相对较低，允许在用于OEM应用（如玻璃、金属、聚合物和其他硬软材料的微加工和专业标记）以及科学应用（包括LIBS、光谱学和医疗诊断）的材料中进行高效烧蚀和非线性相互作用。Wedge是一个灵活的平台，用于实现定制解决方案，例如满足特定的时间/能量要求、振动/冲击或其他极端环境条件，以及符合MIL规范。高功率放大器可以添加到标准振荡器中，以提高性能并满足各种工业和航空航天应用的需求。几种基于光楔的MOPA激光器目前被用作高要求现场应用中的“光学引擎”。性能、灵活性、业界公认的可靠性和整体较低的总拥有成本使Wedge系列成为许多工业、国防和科学应用的理想解决方案。
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波长: 266nm 平均值功率: 0.5W 重复频率: 0.001 - 1 kHz 空间模式: 5 脉宽: 1.8ns基于专有的快速主动调Q技术，这些密封的DPSS激光器对振动和恶劣环境不敏感。在激光雷达和其他航空航天应用中，紧凑和轻便的封装代表了巨大的优势，而短脉冲和高峰值功率，具有相对较低的热量产生，允许在用于OEM应用（如玻璃、金属、聚合物和其他硬和软材料的微加工和专业标记）以及科学应用（包括LIBS、光谱学和医疗诊断）的材料中进行高效烧蚀和非线性相互作用。Wedge是一个灵活的平台，用于实现定制解决方案，例如满足特定的时间/能量要求、振动/冲击或其他极端环境条件，以及符合MIL规范。高功率放大器可以添加到标准振荡器中，以提高性能并满足各种工业和航空航天应用的需求。几种基于光楔的MOPA激光器目前被用作高要求现场应用中的“光学引擎”。性能、灵活性、业界公认的可靠性和整体较低的总拥有成本使Wedge系列成为许多工业、国防和科学应用的理想解决方案。
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波长: 355nm 平均值功率: 0.600W 重复频率: 0 - 1 kHz 空间模式: 5 脉宽: 1.5nsWEDGE-XB系列激光器是一种亚纳秒、4mJ、单次发射至2kHz的风冷激光器，在1064nm处的峰值功率为4mW。二次、三次和四次谐波选项（532nm、355nm和266nm）和波长转换选项（1.5um）拓宽了光楔的应用范围。基于专有的快速主动调Q技术，这些密封的DPSS激光器对振动和恶劣环境不敏感。紧凑和轻便的封装在激光雷达和其他航空航天应用中具有很大的优势，而短脉冲和高峰值功率，产生的热量相对较低，允许在用于OEM应用（如玻璃、金属、聚合物和其他硬软材料的微加工和专业标记）以及科学应用（包括LIBS、光谱学和医疗诊断）的材料中进行高效烧蚀和非线性相互作用。Wedge是一个灵活的平台，用于实现定制解决方案，例如满足特定的时间/能量要求、振动/冲击或其他极端环境条件，以及符合MIL规范。高功率放大器可以添加到标准振荡器中，以提高性能并满足各种工业和航空航天应用的需求。几种基于光楔的MOPA激光器目前被用作高要求现场应用中的“光学引擎”。性能、灵活性、业界公认的可靠性和整体较低的总拥有成本使Wedge系列成为许多工业、国防和科学应用的理想解决方案。
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波长: 532nm 平均值功率: 2W 重复频率: 0.001 - 1 kHz 空间模式: 5 脉宽: 1.5nsWEDGE-XB系列激光器是一种亚纳秒、4mJ、单次发射至2kHz的风冷激光器，在1064nm处的峰值功率为4mW。二次、三次和四次谐波选项（532nm、355nm和266nm）和波长转换选项（1.5um）拓宽了光楔的应用范围。基于专有的快速主动调Q技术，这些密封的DPSS激光器对振动和恶劣环境不敏感。紧凑和轻便的封装在激光雷达和其他航空航天应用中具有很大的优势，而短脉冲和高峰值功率，产生的热量相对较低，允许在用于OEM应用（如玻璃、金属、聚合物和其他硬软材料的微加工和专业标记）以及科学应用（包括LIBS、光谱学和医疗诊断）的材料中进行高效烧蚀和非线性相互作用。Wedge是一个灵活的平台，用于实现定制解决方案，例如满足特定的时间/能量要求、振动/冲击或其他极端环境条件，以及符合MIL规范。高功率放大器可以添加到标准振荡器中，以提高性能并满足各种工业和航空航天应用的需求。几种基于光楔的MOPA激光器目前被用作高要求现场应用中的“光学引擎”。性能、灵活性、业界公认的可靠性和整体较低的总拥有成本使Wedge系列成为许多工业、国防和科学应用的理想解决方案。
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波长: 1064nm 平均值功率: 1.5W 重复频率: 10 - 100 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 0.4nsWEDGE XF亚纳秒（300ps）DPSS激光器在1064nm处产生高达70uJ的脉冲能量，在紧凑的风冷OEM解决方案中，工作频率从单次到100 kHz。二次、三次和四次谐波（532、355和266nm输出）和波长转换选项（1.5um）拓宽了光楔的适用范围。基于专有的快速主动调Q技术，这些密封的DPSS激光器对振动和恶劣环境不敏感。在激光雷达和其他航空航天应用中，紧凑和轻便的封装代表了巨大的优势，而短脉冲和高峰值功率，具有相对较低的热量产生，允许在用于OEM应用（如玻璃、金属、聚合物和其他硬和软材料的微加工和专业标记）以及科学应用（包括LIBS）的材料中进行高效烧蚀和非线性相互作用。光谱学和医学诊断。WEDGE是一个灵活的平台，用于实现定制解决方案，例如满足特定的时间/能量要求、振动/冲击或其他极端环境条件，以及符合MIL规范。高功率放大器可以添加到标准振荡器中，以提高性能并满足各种工业和航空航天应用的需求。几种基于WEDGE的MOPA激光器目前在高要求的现场应用中用作“光学引擎”。性能、灵活性、业界公认的可靠性和整体较低的总拥有成本使Wedge系列成为许多工业、国防和科学应用的理想解决方案。
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波长: 266nm 平均值功率: 0.05W 重复频率: 10 - 50 kHz 空间模式: 1.5 脉宽: 0.5nsWEDGE XF亚纳秒（300ps）DPSS激光器在1064nm处产生高达70uJ的脉冲能量，在紧凑的风冷OEM解决方案中，工作频率从单次到100 kHz。二次、三次和四次谐波（532、355和266nm输出）和波长转换选项（1.5um）拓宽了光楔的适用范围。基于专有的快速主动调Q技术，这些密封的DPSS激光器对振动和恶劣环境不敏感。紧凑和轻便的封装在激光雷达和其他航空航天应用中具有很大的优势，而短脉冲和高峰值功率，产生的热量相对较低，允许在用于OEM应用（如玻璃、金属、聚合物和其他硬软材料的微加工和专业标记）以及科学应用（包括LIBS、光谱学和医疗诊断）的材料中进行高效烧蚀和非线性相互作用。WEDGE是一个灵活的平台，用于实现定制解决方案，例如满足特定的时间/能量要求、振动/冲击或其他极端环境条件，以及符合MIL规范。高功率放大器可以添加到标准振荡器中，以提高性能并满足各种工业和航空航天应用的需求。目前，几种基于WEDGE的MOPA激光器在高要求的现场应用中被用作“光学引擎”。性能、灵活性、业界公认的可靠性和整体较低的总拥有成本使Wedge系列成为许多工业、国防和科学应用的理想解决方案。
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波长: 532nm 平均值功率: 0.5W 重复频率: 10 - 100 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 0.4nsWEDGE XF亚纳秒（300ps）DPSS激光器在1064nm波长下产生高达70uJ的脉冲能量，在紧凑的风冷OEM解决方案中，工作频率从单次到100 kHz。二次、三次和四次谐波（532、355和266nm输出）和波长转换选项（1.5um）拓宽了光楔的适用范围。基于专有的快速主动调Q技术，这些密封的DPSS激光器对振动和恶劣环境不敏感。在激光雷达和其他航空航天应用中，紧凑和轻便的封装代表了巨大的优势，而短脉冲和高峰值功率，具有相对较低的热量产生，允许在用于OEM应用（如玻璃、金属、聚合物和其他硬和软材料的微加工和专业标记）以及科学应用（包括LIBS）的材料中进行高效烧蚀和非线性相互作用。光谱学和医学诊断。WEDGE是一个灵活的平台，用于实现定制解决方案，例如满足特定的时间/能量要求、振动/冲击或其他极端环境条件，以及符合MIL规范。高功率放大器可以添加到标准振荡器中，以提高性能并满足各种工业和航空航天应用的要求。几种基于WEDGE的MOPA激光器目前在高要求的现场应用中用作“光学引擎”。性能、灵活性经过行业验证的可靠性和整体较低的总拥有成本使Wedge系列成为许多工业、国防和科学应用的理想解决方案。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.08MP # 像素 (H): 320 # 像素: 256 像素大小: 25um我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的内部动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs2D探测器（短波红外传感器）。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 10um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 5.6um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 1.3MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 6.8um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.9MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 720 像素大小: 5.6um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 15um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 1.3MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 10.6um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 6.8um我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度（高于90ºC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。
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传感器类型: InGaAs Array # 像素（宽度）: 640 # 像素（高度）: 512 像素大小: 15um 峰值量子效率: 80%WIDY SWIR 640U-S相机是一款近红外相机（900-1700nm），专为工业、激光和过程控制领域的用户而设计，这些用户正在寻找宽动态范围、VGA分辨率、可靠且易于使用的近红外成像解决方案。WIDY SWIR 640U-S摄像机采用NSC1201-Si传感器，通过USB 2.0接口传输数字14位视频信号。它以交钥匙包的形式交付，包括相机、软件工具和防震箱中的电缆，因此可以快速轻松地集成到任何设备平台中。
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中心波长: 0.405um 输出功率: 175mWWorld Star Tech提供采用5.6mm封装的405nm至830nm专用激光二极管。这些激光二极管具有作为激光激发源的应用。窄波长785nm激光二极管适用于拉曼光谱。激光二极管波长选择和激光二极管的特性可根据要求提供。所有激光二极管均可光纤耦合或集成到即插即用模块/系统中。WLD-175-405激光二极管具有单模。WLD-175-405是生物医学应用的理想选择，要求可靠的操作，具有长寿命和稳定的输出功率。
