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传感器类型: CMOS # 像素(宽度): 1280 # 像素(高度): 1024 像素大小: 12um 峰值量子效率: 27%
该高速10位CMOS相机系统由先进的CMOS和电子技术组成。通过将图像存储器(CamRAM)集成到相机本身的新方法,它能够以1 GB/s的速度实现无与伦比的快速图像记录。该系统具有出色的分辨率(1280。1024像素)和低噪声。它由一个小型相机和一个外部智能电源组成。图像数据通过客户可选择的标准数据接口传输到计算机(IEEE 1394(“火线”),Camera Link)。可用的曝光时间范围为1μs(50 ns可选)至5 s。该数字CMOS相机系统非常适合高速相机应用,如材料测试、外部碰撞测试或超慢动作电影剪辑。
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传感器类型: CMOS # 像素(宽度): 1280 # 像素(高度): 1024 像素大小: 12um 峰值量子效率: 25%
该高速10位CMOS相机系统由先进的CMOS和电子技术组成。通过将图像存储器(CamramUp至4GB)集成到相机本身的新方法,它能够以1 GB/s(HS)/820MB/s(S)的速度实现无与伦比的快速图像记录。该系统具有出色的分辨率(1280x1024像素)和低噪声。它由一个小型相机和一个外部智能电源组成。图像数据通过客户可选择的标准数据接口传输到计算机(IEEE 1394(“火线”),Camera Link)。可用的曝光时间范围为1μs(50 ns可选)至5 s(hs)/1μs(s)。这款数字CMOS相机系统非常适合高速相机应用,如材料测试、快速检查、外部碰撞测试或用于视频剪辑和广告的超慢动作图像记录。
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传感器类型: sCMOS # 像素(宽度): 2048 # 像素(高度): 2048 像素大小: 6.5um 峰值量子效率: 58%
经过30年在开发和生产增强型相机方面的不断成功,PCO推出了新的PCO.DICAM C4,这是先进个多通道增强型相机系统,充分利用了科学CMOS传感器技术固有的全部性能。4幅图像,16纳秒?在不到1μs的时间内生成8个图像?高端光学分束器允许将输入光均匀分布到4个图像增强器,这些图像增强器与PCO.DICAM C1经验证的串联透镜耦合到16位4.2 Mpixel sCMOS传感器。这是8个单独曝光时间及其相应的帧间时间的较灵活配置,这使得相机如此独特。Camera Link HS是用于科学相机的高性能数据接口的较新标准,可保证通过光纤在几乎任何距离上以每秒416个全帧的速度进行未压缩和强大的16位数据传输。
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传感器类型: CMOS # 像素(宽度): 1008 # 像素(高度): 1008 像素大小: 5.6um 峰值量子效率: 39%
FLIM相机系统PCO.FLIM包括一个完整的频率合成器,用于在频域中生成调制信号。因此,FLIM测量所需的先进附加设备是适当的激发光源,其可以使用正弦或矩形调制信号和暗门信号来在读出图像期间关闭光。PCO.FLIM的分辨率为1008 X 1008像素,较大可读出90倍图像/秒。有效帧率约为20帧/秒,这是由于为了适当的正弦拟合必须读出较少2个双重图像,并且为了适当的不对称校正必须进行两次。相机系统可以在5 kHz–40 MHz范围内的单个频率或多个频率下工作,甚至可以在图像读出之前执行不对称校正。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。