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  • SR85-2T001 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: Continuous Forward Current:40mA;Pulse Current * :300mA

    850nm RCLED 芯片

  • SR65-02E10 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    用于传感器的 650nm LED 芯片

  • SR65-02E25 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    用于传感器的 650 纳米 RCLED 芯片

  • SR65-02E30 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    650 纳米红色 LED 芯片,带窗口 30

  • SR65-02E50 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    650 纳米红色 LED 芯片,带窗口 50

  • SR65-21E25 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    650 纳米红色 LED 芯片,带窗口 25

  • SR65-D25C415-A3 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    用于传感器的 650nm 红色 LED 芯片

  • XR65-F2121-SD-B-12 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-80 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    650nm RCLED 2121 F/L SMD 封装

  • XG52-S2121-SD-BZ-24 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 525 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 7mA

    绿点 25㎛ LED 黑色 2121 SMD 封装

  • V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00145,是波长为795nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.13mW,线宽≤100MHz,调制带宽≥3.4GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • XG52-S2121-SD-BZ-23 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 520 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 7mA

    绿点 50㎛ LED 黑色 2121 SMD 封装

  • SR65-7SG8016D26 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 20mA

    用于传感器的 650nm 红色 LED 芯片

  • 单频高功率纳秒激光器 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    重复率: 10000 Hz 波长: 1064 nm 电源稳定性: 1 % 脉冲能量: 1mj 光束质量因子(M2): <1.2

    PULSELAS-A-1064-10W-SF™ 是一款功能强大的二极管泵浦单频纳秒激光系统,可在 10 kHz 脉冲重复频率下提供 1 mJ 的脉冲能量。它的工作基本波长为 1064 nm。频率转换为 532 nm、355 nm 和 266 nm 波长是可选的。这种激光器的独特特性,如近乎变换极限的光谱宽度、同时高平均功率和峰值功率、衍射极限输出光束等,使其成为众多科学和工业应用的理想选择,包括光学气象学、干涉测量、高分辨率激光光谱学、光纤通信、单脉冲全息术等。以太网连接允许即使在偏远、难以到达或危险区域也能轻松访问和控制激光系统。

  • FOL14xx Series (with Isolator) 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C 激光二极管正向电流1437R: 0~2100mA 激光二极管正向电流1439R: 0~2600mA 激光二极管反向电压: 0~2V

    FOL14xx系列(带隔离器)是专为光学传输系统中的各种光放大器设计,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的掺铒光纤放大器(EDFA)。

  • FOL1437 Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 2100mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 5mA

    FOL1437系列(带FBG)是为各种光学放大器设计的,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的拉曼放大器。

  • FOL1437R Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~2100mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mA

    FOL1437R系列(带FBG)专为光学传输系统中的各种光放大器设计,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的拉曼放大器。

  • FOL1439 Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 2600mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 5mA

    FOL1439系列(带FBG)专为各种光放大器设计,如光传输系统中使用的拉曼放大器,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中。

  • FOL1439 Series 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 工作温度: -20~70°C LD正向电流: 0~3000mA 激光二极管反向电压: 0~2V 光电二极管正向电流: 0~5mA

    FOL1439系列(带FBG)是为光学传输系统中使用的各种光学放大器设计的,特别是在密集波分复用(DWDM)系统中使用的拉曼放大器。

  • FRL15DCWx-Axx-xxxxx-x 半导体激光器
    日本
    储存温度: -40~85°C 光电二极管反向电压: 0~20V 工作温度: -5~70°C 光电二极管正向电流: 0~5mA 激光二极管反向电压: 0~2V

    DFB激光器模块,为长途DWDM应用设计,与外部强度调制器配合使用,并集成多种光电组件于标准蝶形封装内。

  • FJLxxVxxxx6B 半导体激光器
    日本
    ITU频率调谐范围: C:191.3-196.1THz, C++:190.7-196.65THz, L:186.35-190.7THz 光纤输出功率: C/C++:10-17.5dBm, L:10-15.5dBm 寿命期间功率变化: +/-1.0dB 网格间距: 0.1GHz 寿命期间对ITU网格的频率误差: +/-1.5GHz

    本文档描述了FITEL的微型可调谐激光器组件的规格,该组件的外形和命令接口符合OIF-microITLA-01.0标准。