APD10G0-30DPLED驱动器芯片

分类： LED驱动器芯片

厂家： Integrated Compound Semiconductors (ICS)

产地：英国

型号： APD10G0-30DP

更新时间： 2025-03-20 09:52:41

标签：

光电探测器单模光纤高速通信雪崩光电二极管

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概述

APD10G0-30DP是一款高性能的雪崩光电二极管，适用于单模通信光纤，具有极低的电容和暗电流，支持10Gbps的数据传输。

参数

暗电流 / Dark Current : 15-30 nA
反向最大光电流 / Reverse Max Photocurrent : 3 mA
响应度 / Responsivity : 8-10 A/W
正向电压 / Forward Voltage : 1.1-1.2 V
击穿电压 / Breakdown Voltage : 26-30 V
电容 / Capacitance : 120-140 fF
3dB截止频率 / 3dB-Cut-Off Frequency : 6.2-6.5 GHz
ESD等级 / ESD Rating : 500 V
工作温度 / Operating Temperature : -40-+85 °C
光窗口直径 / Optical Window Diameter : 29-31 μm
芯片尺寸 / Die Size : 380x380-400x400 μm2
阳极垫尺寸 / Pad Size (Anode) : 128x88-132x92 μm2
阴极垫尺寸 / Pad Size (Cathode) : 318x88-322x92 μm2
芯片宽度 / Die Width : 380-400 μm
芯片长度 / Die Length : 380-400 μm
芯片厚度 / Die Thickness : 140-160 μm

应用

1. 单模通信光纤 2. 数据中心 3. 高速通信系统

特征

1. 极低的电容 2. 低暗电流 3. 大带宽 4. 优化的芯片布局

详述

APD10G0-30DP是一款专为高速通信设计的雪崩光电二极管，采用MESA结构，具有30µm的光学窗口直径。该产品的设计优化了单模通信光纤的性能，支持1260nm至1620nm的波长范围，能够实现高达10Gbps的数据传输速率。其极低的暗电流和电容特性使其在高频应用中表现出色，适合各种通信和数据中心应用。产品的电气和光学特性经过严格测试，确保可靠性和稳定性。无论是在数据中心还是在其他高速通信系统中，APD10G0-30DP都能提供卓越的性能，满足现代通信的需求。

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厂家介绍

ICS专注于化合物半导体射频和光学器件的设计和制造。它为通信、国防和汽车行业的一系列国际客户提供晶圆和芯片格式以及全封装组件。IC为GaAs和InP技术提供专有的4 “制造工艺，以及定制的3 ”和4 " InSb和GaSb晶圆工艺。

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