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IPSDD1603 超辐射发光二极管
精品

IPSDD1603

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD1603

更新时间: 2024-08-25 01:49:20

光学相干断层扫描 生物医学成像 高输出功率 光纤传感器 宽光谱带宽 低光谱波动

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

Inphenix的IPSDD1603是一种超辐射发光二极管,波长为1630至1650 nm,输出功率为3至5 MW,带宽(FWHM)为35至40 nm,工作电流为400至500 mA,正向电流为350 mA(最大电流)。有关IPSDD1603的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 宽带光源用于插入损耗测试 2. 光纤传感器系统 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描诊断系统 5. U波段光源

特征

1. 宽光谱带宽 2. 极低的光谱波动 3. 高输出功率在单模或偏振保持光纤中

详述

INPHENIX的Super-Luminescent Light Emitting Diode Device IPSDD1603(1640nm)是一种具有宽光谱带宽、极低的光谱波动和高输出功率的光电器件。其广泛应用于宽带光源插入损耗测试、光纤传感器系统、生物医学成像设备、光学相干断层扫描诊断系统和U波段光源。该产品采用SMF/PMF/MMF光纤类型,并提供多种封装选项,包括14-pin DIL、14-pin BUT和8-pin BUT封装。其卓越的性能和多样化的应用场景使其成为光电行业中的领先产品。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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