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IPSDD1006 超辐射发光二极管
精品

IPSDD1006

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD1006

更新时间: 2024-08-26 15:56:35

光学相干断层扫描 生物医学成像 光电子器件 宽带光源 光纤传感器系统

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

Inphenix公司的IPSDD1006是一种超辐射发光二极管,波长为1010至1030 nm,输出功率为10至15 MW,带宽(FWHM)为100至110 nm,工作电流为300 mA,正向电流为500 mA(最大电流)。有关IPSDD1006的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 宽带光源 2. 光纤传感器系统 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描(OCT)

特征

1. 非常宽的光谱带宽 2. 非常低的光谱波动 3. 在单模或保偏光纤中具有高输出功率

详述

INPHENIX的超级发光二极管设备IPSDD1006(1020nm)是一款具有非常宽光谱带宽和非常低光谱波动的高性能光源设备。它在单模或保偏光纤中具有高输出功率,适用于宽带光源、光纤传感器系统、生物医学成像设备和光学相干断层扫描(OCT)等多种应用场景。该设备具有多种封装类型和光纤类型可选,能够满足不同的应用需求。其最大工作电流为300mA,工作温度范围为-20°C至70°C,存储温度范围为-40°C至85°C,确保了设备在各种环境下的可靠性和稳定性。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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