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IPSDD0810 超辐射发光二极管
精品

IPSDD0810

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD0810

更新时间: 2024-08-27 02:29:16

光学相干断层扫描 生物医学成像 高输出功率 光纤传感器 宽光谱带宽

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

Inphenix的IPSDD0810是超辐射发光二极管,波长为790至815 nm,输出功率为4至5 MW,带宽(FWHM)为35至40 nm,工作电流为200至250 mA,正向电流为300 mA(最大电流)。有关IPSDD0810的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 宽带光源 2. 光纤传感器 (FOS) 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描 (OCT)

特征

1.宽光谱带宽 2.非常低的光谱波动 3.高输出功率在单模或保偏光纤中

详述

INPHENIX的Super-Luminescent Light Emitting Diode Device IPSDD0810 (800nm) 是一种高性能的光电器件,具有宽光谱带宽、非常低的光谱波动和高输出功率,适用于光纤传感器、宽带光源、生物医学成像设备和光学相干断层扫描等多种应用。该设备的技术参数包括中心波长为790-815nm,3dB带宽为35-40nm,单模光纤输出功率为4-5mW,光谱调制深度为0.1-0.15dB,操作电流为200-250mA。INPHENIX提供多种封装类型和光纤类型,满足不同应用需求。

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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