全部产品分类
首页 成像 光电晶体管 L14N1
L14N1 光电晶体管

L14N1

分类： 光电晶体管

厂家： Light in Motion

产地： 美国

型号： L14N1

更新时间： 2024-08-26 22:14:13

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

来自Light in Motion的L14N1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流1 mA，功耗300至600 MW.有关L14N1的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.5 mW/cm2
  • 材料 / Material : Silicon
  • 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole, Leaded
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
  • 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1 mA

规格书

下载规格书

厂家介绍

Light In Motion Organization致力于设计、制造和供应专用于传感器行业的高质量、高可靠性的光学发射器和探测器组件和组件。请参阅我们的能力声明。Light In Motion的所有者将与飞利浦半导体（Philips Semiconductor）、GI Optoelectronics、QT Optoelectronics和飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）合作50年的经验带到了这项业务中。我们拥有丰富的半导体、光学工程、制造技术、供应链和特定应用经验，所有客户都可以找到满足其传感器要求的标准、半定制或定制解决方案。

智推产品

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • AM2520P3C03 光电晶体管 AM2520P3C03 光电晶体管 kingbrightusa

    KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，请参阅下文。

  • APL3015P3C 光电晶体管 APL3015P3C 光电晶体管 kingbrightusa

    KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，请参见下文。

  • BPV11 光电晶体管 BPV11 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm

    Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为130至300 MV，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息，请参见下文。

  • BPV11F 光电晶体管 BPV11F 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 900 to 980 nm

    Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息，请参阅下文。

  • BPW76A 光电晶体管 BPW76A 光电晶体管 Vishay Intertechnology

    材料: Silicon 波长（光谱灵敏度）: 450 to 1080 nm

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请参阅下文。

相关文章

立即咨询

加载中....