光电晶体管是一种双极结晶体管(BJT),它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
概述
参数
- 输入功率(辐照度) / Input Power(Irradiance) : 0.5 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole, Leaded
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压(击穿) / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 50 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.08 mA
规格书
厂家介绍
智推产品
相关产品
-
AM2520P3C03
光电晶体管
kingbrightusa
KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息,请参阅下文。
-
APL3015P3C
光电晶体管
kingbrightusa
KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息,请参见下文。
-
BPV11
光电晶体管
Vishay Intertechnology
材料: Silicon 波长(光谱灵敏度): 450 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为130至300 MV,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息,请参见下文。
-
BPV11F
光电晶体管
Vishay Intertechnology
材料: Silicon 波长(光谱灵敏度): 900 to 980 nm
Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息,请参阅下文。
-
BPW76A
光电晶体管
Vishay Intertechnology
材料: Silicon 波长(光谱灵敏度): 450 to 1080 nm
Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
-
-
什么是光达林顿晶体管(Photodarlington Transistor)?
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管,它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
-
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。
-
晶体技术引领下一代OLED:中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示,他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管(OLED)。通过采用热激活延迟荧光(TADF)材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术,并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构,这项技术实现了对发光行为的有效控制,提高了器件性能,包括更高的亮度和光子输出效率。
加载中....