全部产品分类
首页 光学元件 光电探测器 DXM12DF
DXM12DF 光电探测器

DXM12DF

分类： 光电探测器

厂家： 索雷博

产地： 美国

型号： DXM12DF

更新时间： 2024-08-27 16:10:25

简介：

Multimode Ultrafast Detector with Current Monitor, 700 - 870 nm, DC - 12 GHz, FC/PC

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

来自Thorlabs Inc的DXM12DF是一款光学探测器，波长范围为700至870 nm，上升时间为29 PS，暗电流为50 nA，响应度/光敏度为0.55 A/W.

参数

  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : GaAs
  • 波长范围 / Wavelength Range : 700 to 870 nm
  • 上升时间 / Rise Time : 29 ps
  • 暗电流 / Dark Current : 50 nA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.55 A/W

规格书

下载规格书

厂家介绍

Thorlabs致力于以快速有效的服务，为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室

智推产品

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 2-Color Ratio Fiber Optic Infrared Temperature Measurement and Control System iR2 光电探测器 双色比的光纤红外测温和控制系统iR2 光电探测器 Newport Electronics Inc

    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm

    Newport©IR2™系列是较先进的仪器，适用于困难和苛刻的高温（300°C-3000°C）应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快，精度极高，响应时间为10毫秒，精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能，但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。

  • 25 Gbit-s p-i-n Photodiode Chips And Photodiode Array Chips 850 nm 光电探测器 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器 Connector Optics LLC

    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50µm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

  • 4, 8, 12, or 16 Element Monolithic Linear Array 光电探测器 4、8、12或16个元素的单片线性阵列 光电探测器 GPD Optoelectronics Corp

    二极管类型: Other 工作波长: 1650nm

    线性阵列

  • AP-15G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺，可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外，该产品线较大限度地降低了维护成本，并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用，包括工业、环境和医疗应用，都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度，满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

  • AP-25G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺，可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外，该产品线较大限度地降低了维护成本，并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用，包括工业、环境和医疗应用，都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度，满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

相关文章

  • 研究:单像素检测的量子点红外高光谱成像

    近红外(NIR)高光谱成像是一种非常有前途的探测技术，能够捕获详细的3D光谱空间信息，促进基于其光谱特征的材料和目标的识别和表征。

  • 用于激光和光电探测器集成的大规模过氧化物单晶阵列的片上可控制造

    光电设备中非常需要可寻址的活性层，以实现功能集成和应用。金属卤化物过氧化物由于其优越的光电特性和基于溶液的制造工艺，在光电器件中显示出良好的应用前景。

  • 超导纳米线单光子探测器内禀暗计数的几何起源

    由中国科学院上海微系统与信息技术研究所（SIMIT）游力行研究员和李浩研究员领导的团队采用了一种新颖的差分读出方法，研究了有人工几何约束和无人工几何约束的SNSPD中iDC的空间分布。这种方法可以精确描述 iDCs 的空间来源，揭示探测器内微小几何约束的重要影响。

  • 有机红外探测器提供了先进的成像技术

    由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用，对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs)，其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案，具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。

立即咨询

加载中....