近红外(NIR)高光谱成像是一种非常有前途的探测技术,能够捕获详细的3D光谱空间信息,促进基于其光谱特征的材料和目标的识别和表征。
PbS010050TO5
Infrared detector PbS photoconductive detector Double encapsulated TO-package
概述
参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PN
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : PbS
- 波长范围 / Wavelength Range : 2.2 um
- RoHS / RoHs : Yes
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光电探测器
AP Technologies Ltd
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