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ql68f6s-a/b/c-ls 半导体激光器
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ql68f6s-a/b/c-ls

分类: 半导体激光器

厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)

产地: 韩国

型号: QL68F6S-A/B/C-LS

更新时间: 2024-07-13 12:47:30

激光二极管 光电设备 激光扫描 量子阱 InGaAlP

MOCVD grown 680nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

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概述

QL68F6S-A/B/C-LS来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为670至690 nm,输出功率为15 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为20至40 mA.有关QL68F6S-A/B/C-LS的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 670 to 690 nm
  • 输出功率 / Output Power : 15 mw
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.8 to 2.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 20 to 40 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 12 to 22 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 激光扫描单元

特征

1. 可见光输出:λp = 680nm 2. 光学功率输出:9mW CW 3. 封装类型:TO-18 (5.6mmφ) 4. 内置光电二极管用于监控激光二极管

详述

QL68F6S-A/B/C-LS是一种高性能的680nm波段InGaAlP激光二极管,具有量子阱结构和MOCVD生长技术。它的典型光输出功率为9mW,低工作电流使其非常适合用于激光扫描单元等光电设备。该产品具有内置光电二极管用于监控激光二极管,确保了其稳定性和可靠性。其封装类型为TO-18 (5.6mmφ),具有良好的散热性能和机械强度。无论是在工业激光应用还是在科学研究领域,QL68F6S-A/B/C-LS都能提供卓越的性能和可靠的操作。

图片集

QL68F6S-A/B/C-LS图1
QL68F6S-A/B/C-LS图2
QL68F6S-A/B/C-LS图3

规格书

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

其它

智推产品: QL68F6S-D-LS QL68F6S-E-LS

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