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QL65E5S-A/B/C 半导体激光器
精品

QL65E5S-A/B/C

分类: 半导体激光器

厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)

产地: 韩国

型号: QL65E5S-A/B/C

更新时间: 2024-08-28 15:30:49

激光二极管 光电设备 650nm 激光指示器 InGaAlP 条形码阅读器

MOCVD grown 650 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

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概述

来自Quantum Semiconductor International的QL65E5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为29至37 mA的激光二极管。有关QL65E5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 650 to 660 nm
  • 输出功率 / Output Power : 10 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 29 to 37 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 19 to 30 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 激光指示器 2. 光学水平仪 3. 条形码阅读器

特征

1. 可见光输出:λp=650nm 2. 光输出功率:7mW CW 3. 封装类型:TO-18 (5.6mmφ) 4. 内置光电二极管监控激光二极管

详述

QL65E5S-A/B/C 是一款由Quantum Semiconductor International Co., Ltd.生产的MOCVD生长的650nm波段InGaAlP激光二极管,具有量子阱结构。它以其典型的7mW光输出功率,成为激光指示器、光学水平仪和条形码阅读器等光电设备的理想光源。该产品具有可见光输出、内置光电二极管监控、TO-18封装等特点,能够在-10至50摄氏度的温度范围内工作,存储温度范围为-40至85摄氏度。其电气和光学特性包括阈值电流19至30mA,工作电流29至37mA,工作电压2.2至2.6V,激光波长650至660nm,光束发散角度平行方向6至12度,垂直方向22至38度。该激光二极管适用于各种光电应用,是一款性能卓越且可靠的产品。

规格书

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

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  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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