全部产品分类
首页 激光器和发光二极管 半导体激光器 SEC4-808C-01
SEC4-808C-01 半导体激光器

SEC4-808C-01

分类： 半导体激光器

厂家： II-VI Laser Enterprise GmbH

产地： 美国

型号： SEC4-808C-01

更新时间： 2024-08-26 18:02:33

简介：

4W 808nm 90µm High Power Single Emitter Laser Diode on C-mount

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

II-VI Incorporated的SEC4-808C-01是一款激光二极管，波长为808 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为4 A，阈值电流为0.6 A.SEC4-808C-01的更多详细信息见下文。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 808 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9 V
  • 工作电流 / Operating Current : 4 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 0.6 A
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 输出功率 / CW Output Power : 4W
  • 中心波长 / Center Wavelength : 808±2.5nm
  • 光谱半高宽（FWHM） / Spectral Width (FWHM) : 2nm
  • 波长随温度变化 / Wavelength Shift With Temperature : 0.3nm/°C
  • 结合发散角（平行） / Beam Divergence (Parallel To Junction) : 6deg
  • 结合发散角（垂直） / Beam Divergence (Perpendicular To Junction) : 32deg
  • 偏振 / Polarization : TE
  • 阈值电流 / Threshold Current : 0.6A
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 1.1W/A
  • 转换效率 / Conversion Efficiency : 50%
  • 串联电阻 / Series Resistance : 0.03Ω
  • 工作电流 / Operating Current : 4A
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.9V
  • 工作温度 / Operating Temperature : 25±5°C
  • 芯片宽度 / Chip Width : 400µm
  • 谐振器长度 / Resonator Length : 3600µm
  • 芯片厚度 / Chip Thickness : 150µm
  • 发射器宽度 / Emitter Width : 90µm

应用

1.固态激光泵浦 2.医疗 3.分析 4.打印

特征

1.激光二极管大小为3.6mm x 0.4mm 2.90μm宽的发射器 3.Cu C-Mount 4.4W工作功率（p-side down mounted） 5.高可靠性单量子阱MBE结构 6.符合RoHS标准

规格书

下载规格书

厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字，是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结，明确的目标，以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术，连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg，在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

智推产品

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFLEX虹膜™固态激光系统在小型封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到要求高性能但需要保持较小形状系数的仪器中。由于主动温度控制，激光器无模式跳变，波长稳定。所有CW iFLEX iRIS激光器都使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能可提供高度稳定的输出功率，并确保在产品的整个使用寿命内保持高功率稳定性。

  • 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 10.26 μm DISTRIBUTED FEEDBACK (DFB) QCL 半导体激光器 10.26 μm 分布式反馈（DFB）QCL 半导体激光器 AdTech Optics Inc.

    输出功率: 59.3mW

    10.26μm分布反馈（DFB）QCL.

  • 1030nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1030纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1030nm 输出功率: 280mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计，在时间、温度（0.007 nm/0C）和振动方面具有出色的波长稳定性，并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm（上述标准波长），采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

相关文章

  • V00140：精密科技的杰作，精度的守护者

    V00140激光芯片，由Vixar Inc.制造，以其GaAs VCSEL技术和894.6 nm激光波长，为高精度应用提供稳定精确的激光输出。它在极端温度下保持性能稳定，典型输出功率0.3mW，斜率效率0.37W/A，确保高效低耗。

  • 什么是二极管泵浦固体激光器（DPSS）？

    二极管泵浦固体（DPSS）激光器是用激光二极管泵浦的固体激光器。

  • 在超级光子上制造“印记”

    在一定条件下，数千个光粒子可以融合成一种“超级光子”。波恩大学的研究人员现在已经能够使用“微小的纳米模具”来影响这种所谓的玻色-爱因斯坦凝聚物的设计。这使他们能够将光斑塑造成一个简单的晶格结构，由四个以二次型排列的光点组成。

  • 一个前景广阔的解决方案：用于光子封装的双光子光刻技术

    在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。

立即咨询

加载中....